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| ■論文No. |
EFM24003 |
| ■ページ数 |
4ページ |
■発行日
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2024/11/25 |
| ■タイトル |
溶液プロセス p 型 SnO 薄膜トランジスタに向けた溶液調整の検討およ び薄膜作製 |
| ■タイトル(英語) |
Investigation of solution preparation and fabrication of thin films for solution-processed p-type SnO thin-film transistors |
| ■著者名 |
曹 博聞(工学院大学),小林 亮太(工学院大学),相川 慎也(工学院大学) |
| ■著者名(英語) |
Bowen Cao(kogakuin University),Ryota Kobayashi(kogakuin University),Shinya Aikawa(kogakuin University) |
| ■価格 |
会員 ¥440 一般 ¥660 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会 |
| ■本誌 |
2024年11月28日-2024年11月29日電子材料研究会
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| ■本誌掲載ページ |
7-10ページ |
| ■原稿種別 |
日本語 |
| ■電子版へのリンク |
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| ■キーワード |
酸化物半導体|溶液プロセス|薄膜トランジスタ|ｐ型ＳｎＯ|スピンコート|アニール|oxide semiconductor|solution|thin film transistor|p-type SnO|spin coating|anneal |
| ■要約(日本語) |
p型TFTのチャネル材料として，SnOが注目されている．しかしながら，これまでに報告されている作製方法は，スパッタリングなどの真空プロセスであるためスループットの低下や高コスト化を招く．非真空プロセスは簡便なため，低コスト化が期待できる．そこで本研究では，スピンコート法を用いたSnO薄膜の作製とアニール条件を探索し，薄膜の物性を評価した． |
| ■要約(英語) |
SnO is a promising material for p-type thin-film transistors (TFTs), however, vacuum processes such as sputtering, which results in low throughput and high costs, are required. Non-vacuum processes are expected to reduce fabrication costs. In this study, we investigated precursor solutions for p-type SnO and fabricated thin films using a spin-coating method for TFT application. |
| ■版 型 |
A4 |
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