| ■論文No. |
EFM24004 |
| ■ページ数 |
4ページ |
■発行日
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2024/11/25 |
| ■タイトル |
Ar/H2スパッタ成膜したIn2O3系透明導電膜の屈曲時抵抗変化と成膜時圧力の関係理解 |
| ■タイトル(英語) |
Understanding the relationship between resistance changing during bending and sputtering pressure of In2O3-based transparent conductive oxide films fabricated in Ar/H2 atmosphere |
| ■著者名 |
木菱 完太(工学院大学),山寺 真理(工学院大学),小林 翔(工学院大学),相川 慎也(工学院大学) |
| ■著者名(英語) |
Kanta Kibishi(Kogakuin University),Shinri Yamadera(Kogakuin University),Tsubasa Kobayashi(Kogakuin University),Shinya Aikawa(Kogakuin University) |
| ■価格 |
会員 ¥440 一般 ¥660 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会 |
| ■本誌 |
2024年11月28日-2024年11月29日電子材料研究会
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| ■本誌掲載ページ |
11-14ページ |
| ■原稿種別 |
日本語 |
| ■電子版へのリンク |
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| ■キーワード |
フレキシブル|透明導電膜|酸化インジウム|水素|ドーピング|常温プロセス|Flexible|Transparent Conductive Films|In2O3|Hydrogen|Doping|Room temperature process |
| ■要約(日本語) |
次世代エネルギー・情報デバイスとして，常温プロセス可能かつフレキシブルな透明導電膜が求められている．これまでの研究では，In2O3系透明導電膜の導電性および柔軟性向上を目的とし，水素分圧を変化させて薄膜形成を行ってきた．水素ドーピングによるキャリア密度の増加からより低抵抗な薄膜が得られたが，屈曲時の相対抵抗値は増加した．本研究では，これらの相関関係の理解を目的とする． |
| ■要約(英語) |
Understanding the relationship between resistance changing during bending and sputtering pressure of In2O3-based transparent conductive oxide films fabricated in Ar/H2 atmosphere |
| ■版 型 |
A4 |
