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■論文No. 7PM1-B-1
■ページ数 6ページ
■発行日
2013/10/29
■タイトル

超並列電子線描画装置のためのピアース型ナノ結晶シリコン電子源アレイの作成

■タイトル(英語)

Development of Pierce-Type Nanocrystalline Si Surface-Electron-Emitter Array for Massive Parallel Lithography

■著者名 西野 仁 (東北大学),吉田 慎哉 (東北大学),田中 秀治 (東北大学),江刺 正喜 (東北大学),小島 明 (クレステック),池上尚克 (東京農工大学),越田 信義 (東京農工大学)
■著者名(英語)
■価格 会員 ¥220 一般 ¥440
■書籍種類 部門大会
■グループ名 【E】平成25年電気学会センサ・マイクロマシン部門大会講演論文集
■本誌掲載ページ 844-849ページ
■キーワード 微小電気機械システム|超並列電子線描画|ナノ結晶シリコン|ピアース型電子源|
■要約(日本語) 本研究は,超並列電子線描画装置のためのLSI集積化100x100ピアース型ナノ結晶シリコン(nc-Si)電子源アレイの作製プロセスに関するものである.具体的には,電子放出結果とEBレジストの露光実験,電子源分離のための絶縁トレンチの形成,電子源とLSIとの電気的接続のためのAu-In接合,引き出しプレートの接合に関して報告する.
■要約(英語) This study reports on the fabrication process of a 100×100 Pierce-type nanocrystalline Si (nc-Si) electron emitter array for massive parallel electron beam lithography based on active-matrix electron beam control by LSI. We introduce the result of electron emitting and exposure test, making isoration trench for each electron emitter, Au-In bonding of electron emitter and LSI, polymer bonding of extraction plate.
■版 型 A4
■PDFファイルサイズ 1,170Kバイト
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