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| ■論文No. |
TC7-3 |
| ■ページ数 |
6ページ |
■発行日
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2023/08/23 |
| ■タイトル |
オーミック金属下半導体の特性評価法とその窒化物半導体への応用 |
| ■タイトル(英語) |
Characterization method of semiconductors under Ohmic-metals and its application to nitride semiconductors |
| ■著者名 |
瓜生 和也（北陸先端科学技術大学院大学/アドバンテスト研究所）,Deng Yuchen（北陸先端科学技術大学院大学）,Le Son Phuong（Linkoping大学）,鈴木 寿一（北陸先端科学技術大学院大学） |
| ■著者名(英語) |
K. Uryu (Japan Advanced Institute of Science and Technology/Advantest Laboratories Ltd.),Y. Deng (Japan Advanced Institute of Science and Technology),S. P. Le (Linkoping University),T. Suzuki (Japan Advanced Institute of Science and Technology) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥440 |
| ■書籍種類 |
部門大会 |
| ■グループ名 |
【C】2023年電気学会電子・情報・システム部門大会 |
| ■本誌掲載ページ |
301-307ページ |
| ■キーワード |
オーミックコンタクト|多端子ホール測定|窒化物系半導体窒化物系半導体|Ohmic contact|multi-probe Hall measurement|nitride semiconductor |
| ■要約(日本語) |
一般に, 半導体表面に金属を堆積しただけでは, オーミックコンタクトは形成されないが, その後のアニールにより半導体中にドーピングが生じ, オーミックコンタクトが形成されると考えられている. このとき, オーミック金属下半導体のシート抵抗, キャリア密度・移動度は, オーミックコンタクト形成前から変化している. このようなオーミック金属下における半導体のシート抵抗測定方法は確立しているが, キャリア密度・移動度を評価することは困難であった. 本報告では, 我々が提案している多端子ホール測定によるオーミック金属下半導体の特性評価法について述べ, この評価法をオーミック金属が形成された窒化物系半導体に応用した結果を示す. これにより, この系のオーミックコンタクト形成に分極ドーピングが大きく寄与していることを明らかにする. |
| ■要約(英語) |
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| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
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