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| ■論文No. |
1-7 |
| ■ページ数 |
6ページ |
■発行日
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2021/08/18 |
| ■タイトル |
スーパージャンクションMOSFET搭載電源のノイズメカニズム分析 |
| ■タイトル(英語) |
Analysis of Noise Mechanism of Power Supply with Superjunction-MOSFET |
| ■著者名 |
安住 壮紀（東芝）,山下 浩明（東芝デバイス＆ストレージ）,溝口 健（東芝デバイス＆ストレージ） |
| ■著者名(英語) |
Takenori Yasuzumi (Toshiba Corp.),Hiroaki Yamashita (Toshiba Electronic Devices & Storage Corp.),Takeshi Mizoguchi (Toshiba Electronic Devices & Storage Corp.) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥440 |
| ■書籍種類 |
部門大会 |
| ■グループ名 |
【D】2021年電気学会産業応用部門大会講演論文集 |
| ■本誌掲載ページ |
ページ |
| ■キーワード |
スーパージャンクション|MOSFET|放射EMI|スイッチング|C-V特性|Superjunction-MOSFET|Radiation EMI|Switching|C-V characteristics |
| ■要約(日本語) |
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| ■要約(英語) |
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| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
1,573Kバイト |
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