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| ■論文No. |
1-13 |
| ■ページ数 |
2ページ |
■発行日
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2021/08/18 |
| ■タイトル |
GaNパワーデバイス搭載インバータ基板のバスバー冷却構造による高放熱性とゲートインダクタンス低減 |
| ■タイトル(英語) |
Bus-bar Cooling Structure for Well-balanced Gate Inductance Reduction and Heat Dissipation in Inverter Circuits with GaN Power Devices |
| ■著者名 |
澤田 高志（筑波大学）,只野 博（名古屋大学）,塩崎 宏司（名古屋大学）,磯部 高範（筑波大学） |
| ■著者名(英語) |
Takashi Sawada (University of Tsukuba),Hiroshi Tadano (Nagoya University),Koji Shiozaki (Nagoya University),Takanori Isobe (University of Tsukuba) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥440 |
| ■書籍種類 |
部門大会 |
| ■グループ名 |
【D】2021年電気学会産業応用部門大会講演論文集 |
| ■本誌掲載ページ |
ページ |
| ■キーワード |
冷却|窒化ガリウム|放熱デザイン|Cooling|Gallium Nitride|Thermal design |
| ■要約(日本語) |
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| ■要約(英語) |
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| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
524Kバイト |
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