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| ■論文No. |
26A3-SS1-2 |
| ■ページ数 |
4ページ |
■発行日
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2020/10/19 |
| ■タイトル |
回路動作とセンサ動作を両立できる0.18um 8角形多端子MOSFETの研究 |
| ■タイトル(英語) |
0.18um Octagonal-MOSFET for realizing both the circuit and sensor operations |
| ■著者名 |
及川 康太(山形大学), 原田 知親(山形大学) |
| ■著者名(英語) |
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| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥440 |
| ■書籍種類 |
部門大会 |
| ■グループ名 |
【E】第37回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム |
| ■本誌掲載ページ |
ページ |
| ■キーワード |
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| ■要約(日本語) |
従来は回路とセンサは構造が異なり同一集積が難しい。そのため2μmCMOSプロセスを用いた8角形多端子MOSFETが考案された。しかし現在の集積回路は1.0um未満のプロセスで作製され、微細化で問題が起きる可能性がある。そこで、本研究では0.18μmCMOSプロセスを用いた8角形多端子MOSFETがMOSFET動作とセンサ動作が可能か検証した。結果、素子サイズを94%削減し、MOSFET動作と磁界検出動作が可能であることが明らかとなった。 |
| ■要約(英語) |
In the previous research, it’s difficult to integrate circuit and sensor due to different structure.
To solve the problem, Octagonal MOSFET using 2μm process were designed and proposed.
But, recently integrated circuit are fabricated by under 1.0μm process, and it may induce
performance degradation. Hence, we fabricate and evaluate Octagonal MOSFET using 0.18μm CMOS process.As the experimental results, the proposed device can be realized both the circuit and magneticfield sensor operation. |
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
831Kバイト |
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