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| ■論文No. |
26A3-SS2-1 |
| ■ページ数 |
4ページ |
■発行日
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2020/10/19 |
| ■タイトル |
高精度なVth制御性と高い電荷保持特性をもつ不揮発性イオンセンサ |
| ■タイトル(英語) |
Non-Volatile Ion Sensor with Highly Accurate Vth Controllability and High Charge Retention Characteristic |
| ■著者名 |
奥秋 裕介(旭化成エレクトロニクス), 望月 秀則(旭化成エレクトロニクス), 柴田 佳彦(旭化成エレクトロニクス) |
| ■著者名(英語) |
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| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥440 |
| ■書籍種類 |
部門大会 |
| ■グループ名 |
【E】第37回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム |
| ■本誌掲載ページ |
ページ |
| ■キーワード |
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| ■要約(日本語) |
本稿では、イオン感応性電界効果トランジスタ(ISFET)の重要課題の1つである閾値電圧(Vth)ばらつきへの対策として、ポリシリコン1層メモリを用いた新規構造のイオンセンサを提案する。新規イオンセンサは、優れたVth制御性と電荷保持特性の両方を兼ね備えていることを実証する。 |
| ■要約(英語) |
In this paper, we propose an ion sensor with a new structure using a polysilicon single-layer memory as a solution of threshold voltage (Vth) variation, which is one of the important issues of ion sensitive field effect transistor (ISFET). We will demonstrate that the new ion sensor has both excellent Vth controllability and charge retention characteristic. |
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
849Kバイト |
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