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| ■論文No. |
10A3-SS3-2 |
| ■ページ数 |
2ページ |
■発行日
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2021/11/02 |
| ■タイトル |
真空封止用Au/Ta/Ti接合層を用いたガス吸収プロセスの開発とその低温化 |
| ■タイトル(英語) |
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| ■著者名 |
狩谷 真悟（東京理科大学）, 松前 貴司（産業技術総合研究所）, 倉島 優一（産業技術総合研究所）, 髙木 秀樹（産業技術総合研究所）, 早瀬 仁則（東京理科大学）, 日暮 栄治（産業技術総合研究所） |
| ■著者名(英語) |
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| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥440 |
| ■書籍種類 |
部門大会 |
| ■グループ名 |
【E】第38回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム |
| ■本誌掲載ページ |
ページ |
| ■キーワード |
真空封止|直接接合|脱ガスアニール|残留ガス吸収 |
| ■要約(日本語) |
We have developed a Au/Ta/Ti (from top to bottom) metal multilayer to improve the vacuum packaging technique for microelectronic devices. Wafer-level vacuum packaging after degas annealing at 200 °C was successfully demonstrated using the Au/Ta/Ti multilayer. Moreover, this multilayer can absorb gas molecules by annealing at 300 °C that caused thermal diffusion of Ti underlayer atoms to the surface. Absorbing residual gases in packages is an effective method to maintain a high vacuum environment. In addition, the temperature for gas gettering was lower compared with the case of the Au/Pt/Ti layer. The Au/Ta/Ti multilayer would contribute to fabrication of devise having thermally sensitive materials because it enables wafer-level packaging after degassing annealing and absorbing residual gas at low temperatures. |
| ■要約(英語) |
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| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
439Kバイト |
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