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| ■論文No. |
25A4-D-4 |
| ■ページ数 |
5ページ |
■発行日
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2024/11/18 |
| ■タイトル |
窒化チタンを堆積したCMOSイメージセンサのイオン計測特性の評価 |
| ■タイトル(英語) |
Evaluation of Ion Measurement Characteristics for CMOS Image Sensor deposited Titanium Nitride |
| ■著者名 |
チュウ ジ シュン(豊橋技術科学大学), 土井 英生(豊橋技術科学大学), 堀尾 智子(豊橋技術科学大学), 崔 容俊(豊橋技術科学大学), 高橋 一浩(豊橋技術科学大学), 野田 俊彦(豊橋技術科学大学), 澤田 和明(豊橋技術科学大学), () |
| ■著者名(英語) |
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| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥440 |
| ■書籍種類 |
部門大会 |
| ■グループ名 |
【E】第41回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム |
| ■本誌掲載ページ |
ページ |
| ■キーワード |
バイオイメージング|窒化チタン|電位検出型アレイセンサ|pH応答|他種イオン応答 |
| ■要約(日本語) |
本研究では、窒化チタン(TiN)を堆積したCMOSイメージセンサのイオン計測特性を評価した。pH応答、ドリフト特性、他種イオンに対する選択性を測定した。結果、TiNセンサは理論感度に近い55±3 mV/pHを示し、Ta2O5センサとほぼ同等の性能を確認した。また、H+拡散のリアルタイムイメージングを実証し、TiNセンサの高い選択性が明らかになった。これにより、バイオメディカル応用において細胞外のイメージングが期待される。 |
| ■要約(英語) |
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| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
894Kバイト |
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