 |
| ・会員価格 ¥220 |
| ・一般価格 ¥330 |
|
|
| こちらはBookPark「電気学会 電子図書館（IEEJ Electronic Library）」による文献紹介ページです。 |
|
 |
 |
電気学会会員の方はこちらから一旦ログインのうえ、マイページからお入りください。
会員価格で購入することができます。
|
|
| 非会員の方はログインの必要はありません。このまま お進みください。 |
|
|
| ■論文No. |
EDD11035 |
| ■ページ数 |
4ページ |
■発行日
|
2011/03/01 |
| ■タイトル |
単一原子ドーピング法と離散的ドーパントデバイス評価 |
| ■タイトル(英語) |
Single atom doping and Discrete Dopant Effects on Transistor Performance |
| ■著者名 |
品田 賢宏(早稲田大学),堀 匡寛(早稲田大学),平 圭吾(早稲田大学),小松原 彰(早稲田大学),小野 行徳(日本電信電話),谷井 孝至(早稲田大学),遠藤 哲郎(東北大学),大泊 巌(早稲田大学) |
| ■著者名(英語) |
Shinada Takahiro(Waseda University),Hori Masahiro(Waseda University),Taira Keigo(Waseda University),Komatsubara Akira(Waseda University),Ono Yukinori(NTT Basic Research Laboratory),Tanii Takashi(Waseda University),Endoh Tetsuo(Tohoku University),Ohdomari Iwao(Waseda University) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会 |
| ■本誌 |
|
| ■本誌掲載ページ |
ページ |
| ■原稿種別 |
日本語 |
| ■電子版へのリンク |
|
| ■キーワード |
単一原子ドーピング|単一イオン注入|離散的ドーパント|ドーパント規則配列|Single atom doping|Single ion implantation|Discrete dopant|Ordered dopant array |
| ■要約(日本語) |
長年、デバイス特性を制御するために導入されてきたドーパントは微細化によって10年以内に数個になる。しかし、ランダムな分布故、特性ばらつきが大問題となっている。最近、単一イオン注入法の個数制御性を改善し、ドーパント分布がデバイス特性に及ぼす影響を調査したところ、ドレイン側に偏在するドーパント分布は電流を増加させ、規則配列は特性ばらつきを抑制することが判明。本調査を通じて、CMOS技術の延伸に貢献する。 |
| ■要約(英語) |
For reliable deterministic single-atom doping, single-ion detection efficiency is improved by controlling channel potential in transistor. We fabricate transistors with discrete dopants and find that subthreshold current becomes larger when dopants are located at drain-side than source-side. The single-atom doping method could contribute to the extensibility of doped-channel device technologies. |
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
805Kバイト |
|
|
|
