 |
| ・会員価格 ¥220 |
| ・一般価格 ¥330 |
|
|
| こちらはBookPark「電気学会 電子図書館（IEEJ Electronic Library）」による文献紹介ページです。 |
|
 |
 |
電気学会会員の方はこちらから一旦ログインのうえ、マイページからお入りください。
会員価格で購入することができます。
|
|
| 非会員の方はログインの必要はありません。このまま お進みください。 |
|
|
| ■論文No. |
EDD16060,SPC16147 |
| ■ページ数 |
6ページ |
■発行日
|
2016/11/14 |
| ■タイトル |
３．３ｋＶハイブリッドＳｉＣモジュールの宇宙線耐量と破壊メカニズム |
| ■タイトル(英語) |
Cosmic Ray Failure Mechanism and Critical Factors for 3.3kV Hybrid SiC Modules |
| ■著者名 |
新田 哲也(東芝 ),崎山 陽子(東芝 ),小谷 来太(東芝 ),井上 智樹(東芝 ),尾原 亮一(東芝 ),佐野 賢也(東芝 ),山口 正一(東芝 ) |
| ■著者名(英語) |
Tetsuya Nitta(Toshiba Corporation),Yoko Sakiyama(Toshiba Corporation),Raita Kotani(Toshiba Corporation),Tomoki Inoue(Toshiba Corporation),Ryoichi Ohara(Toshiba Corporation),Kenya Sano(Toshiba Corporation),Masakazu Yamaguchi(Toshiba Corporation) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会 |
| ■本誌 |
|
| ■本誌掲載ページ |
79-84ページ |
| ■原稿種別 |
日本語 |
| ■電子版へのリンク |
|
| ■キーワード |
ＩＧＢＴ|宇宙線|中性子線|ＳＥＢ|ＳｉＣ|IGBT|cosmic ray|neutron ray|SEB|SiC |
| ■要約(日本語) |
3.3kV SiCハイブリッドモジュールの中性子線耐量解析結果を報告する。3.3kV IGBTの中性子線耐量は、、ダイナミックアバランシェ電流による自己発熱が支配的であり、低耐圧のIGBTとは異なり寄生バイポーラ動作の影響がほとんど無く、ある閾値以上の電界を積分した値が耐量の指標となることを示す。また3.3kV SiC-SBDの中性子線耐量は、同耐圧クラスのSiデバイスと同等である評価結果を報告する。 |
| ■要約(英語) |
The cosmic ray failure mechanism for a 3.3kV IGBT has been investigated.
It could be clarified that the dynamic avalanche current dominates the catastrophic self-heating, and the impact of the parasitic bipolar action is negligible for a 3.3kV IGBT. The cosmic ray robustness of a 3.3kV SiC-SBD was also investigated.
|
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
1,601Kバイト |
|
|
|
