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| ■論文No. |
1046 |
| ■ページ数 |
40ページ |
■発行日
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2006/02/10 |
| ■タイトル |
超高速回路・デバイス技術の現状と今後の展開-高速デバイスおよびその要素回路や応用システム等の関連技術に関する調査- |
| ■タイトル(英語) |
Current status and prospects of high-speed circuit/device technologies
- Research on state-of-the-art technologies for high-speed devices and circuits and their related applications ?
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| ■著者名 |
超高速デバイス・回路技術調査専門委員会 |
| ■著者名(英語) |
Investigating R&D Committee on High-speed device and circuit technologies |
| ■価格 |
会員 ¥1,936 一般 ¥2,420 |
| ■書籍種類 |
技術報告 |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 |
| ■本誌掲載ページ |
ページ |
| ■キーワード |
Silicon, Compound semiconductor, GaAs, InP, GaN, Carbon Nanotube, High-speed applications, High-power Applications |
| ■要約(日本語) |
高度情報化社会では、必要とするデータを何時でも何処ででも選別でき、かつ大量の情報を高速に伝送し処理できることが求められる。このような状況の中で、シリコン及び化合物半導体を主体とした超高速デバイスや集積回路の研究開発は活発に行なわれている。また、インダクタやキャパシタなど低損失超高周波波受動素子やアンテナ等を能動素子と一緒に集積化する技術の重要度も増している。本報告書では、超高速回路に関るデバイス、回路、実装、応用技術について、最新の開発動向をまとめて報告する。 最新のシリコン及び化合物半導体を用いた超高 |
| ■要約(英語) |
In the coming ICT society, it is expected that the required data can be downloaded anytime and anywhere they want and huge information can be handled through the high-speed networks. To meet these demands, strong research efforts on high-speed devices an |
| ■版 型 |
A4 |
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