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| ■論文No. |
1420 |
| ■ページ数 |
67ページ |
■発行日
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2018/04/25 |
| ■タイトル |
シリコンパワーデバイス･パワーICの更なる進化および新材料パワーデバイスの進展 |
| ■タイトル(英語) |
Recent Progress of Si and WBG power semiconductor devices and Ics |
| ■著者名 |
シリコンならびに新材料パワーデバイス･パワーIC技術調査専門委員会 |
| ■著者名(英語) |
Investigating R&D Committee on Si- and WBG-power semiconductor devices and Ics |
| ■価格 |
会員 ¥2,494 一般 ¥3,564 |
| ■書籍種類 |
技術報告 |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 |
| ■本誌掲載ページ |
ページ |
| ■キーワード |
シリコンパワーデバイス，新材料パワーデバイス，パワーIC，MOSFET，IGBT／Si Power Device, WBG Power Device, Power IC, MOSFET, IGBT |
| ■要約(日本語) |
一層の省エネルギーを達成すべき電力変換装置において、その主要部品であるパワー半導体の技術動向を探り、今後の取り組むべき課題をまとめた。シリコンデバイスは，まずIGBT はオン電圧とスイッチング損失のトレードオフ改善が自己発熱限界に差しかかり、発振抑制、電気抵抗と熱抵抗に関連した接合技術及びパッケージ技術などを含めたトータル技術としての改善に重点が移行している。またコスト低減を目的とし、IGBTとFWDを一素子に集積したRC-IGBTの開発が盛んになってきた。パワーMOSFETは、微細SJ技術の進歩よる低オ |
| ■要約(英語) |
In order to achieve further energy saving, the committee explored the technical trend of the power semiconductor devices and summarized the issues to be addressed in the future. IGBT development is now been shifted to a comprehensive technological improve |
| ■版 型 |
A4 |
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