 |
| ・会員価格 ¥2,402 |
| ・一般価格 ¥3,432 |
|
|
| こちらはBookPark「電気学会 電子図書館（IEEJ Electronic Library）」による文献紹介ページです。 |
|
 |
 |
電気学会会員の方はこちらから一旦ログインのうえ、マイページからお入りください。
会員価格で購入することができます。
|
|
| 非会員の方はログインの必要はありません。このまま お進みください。 |
|
|
| ■論文No. |
1489 |
| ■ページ数 |
62ページ |
■発行日
|
2020/07/22 |
| ■タイトル |
パワーデバイス・パワーICの高性能化技術動向 |
| ■タイトル(英語) |
Progress of performance improvement of power semiconductor devices and Ics |
| ■著者名 |
パワーデバイス・パワーICの高性能化技術調査専門委員会 |
| ■著者名(英語) |
Investigating R&D Committee on performance improvement of power semiconductor devices and Ics |
| ■価格 |
会員 ¥2,402 一般 ¥3,432 |
| ■書籍種類 |
技術報告 |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 |
| ■本誌掲載ページ |
ページ |
| ■キーワード |
パワーデバイス、パワーIC、SiCデバイス、GaNデバイス／Power Device, Power IC, SiC Device, GaN Device |
| ■要約(日本語) |
パワーデバイス･パワーICの高性能化を実現する技術動向について，２０１９年度までの直近の３年間を中心として調査してきた結果をまとめた。シリコンをベースとしたパワーデバイス･パワーICでは，単なる低損失化という進歩ではなく，ノイズの低減や高破壊耐量・高信頼性といった総合的な性能向上が行われると共に，各用途に応じた最適化がさらに進められてきた。学術面では，デバイス内部の動的な挙動，信頼性等を様々な手法で詳細に解析し理論的に解明する動きが活発になっている。加えて，ゲート駆動などの制御技術とデバイス構造の組み合わ |
| ■要約(英語) |
This paper reports a research result focusing on progress of performance improvement of power semiconductor devices and ICs researched mainly for recent three years. In Si power devices and ICs, the performance has been improved totally, such as not only |
| ■版 型 |
A4 |
|
|
|
