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| ■論文No. |
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| ■ページ数 |
7ページ |
■発行日
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2022/07/01 |
| ■タイトル |
パワーモジュールの絶縁基板における電界強度分布と絶縁破壊箇所の関係 |
| ■タイトル(英語) |
Relationship between Electric Field Strength Distribution and Dielectric Breakdown Points in Insulating Substrates of Power Modules |
| ■著者名 |
堀 元人（富士電機（株）），谷口 克己（富士電機（株）），日向 裕一朗（富士電機（株）），齊藤 まい（富士電機（株）），池田 良成（富士電機（株）），山崎 智幸（富士電機（株）），村中 司（国立大学法人山梨大学），鍋谷 暢一（国立大学法人山梨大学） |
| ■著者名(英語) |
Motohito Hori (Fuji Electric Co., Ltd.), Katsumi Taniguchi (Fuji Electric Co., Ltd.), Yuichiro Hinata (Fuji Electric Co., Ltd.), Mai Saitou (Fuji Electric Co., Ltd.), Yoshinari Ikeda (Fuji Electric Co., Ltd.), Tomoyuki Yamazaki (Fuji Electric Co., Ltd.), Tsutomu Muranaka (University of Yamanashi), Yoichi Nabetani (University of Yamanashi) |
| ■価格 |
会員 ¥550 一般 ¥770 |
| ■書籍種類 |
論文誌(論文単位) |
| ■グループ名 |
【A】基礎・材料・共通部門 |
| ■本誌 |
電気学会論文誌A（基礎・材料・共通部門誌） Vol.142 No.7 （2022） 特集：電気電子工学関連分野における教育フロンティア
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| ■本誌掲載ページ |
328-334ページ |
| ■原稿種別 |
論文／日本語 |
| ■電子版へのリンク |
https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejfms/142/7/142_328/_article/-char/ja/
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| ■キーワード |
パワーモジュール，絶縁基板，絶縁破壊箇所，電界強度分布，応力 power module，insulating substrates，dielectric breakdown points，electric field strength distribution，stress |
| ■要約(日本語) |
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| ■要約(英語) |
Silicon carbide (SiC) devices exhibit several advantages such as high withstand voltage, high temperature operation, and low loss compared to conventional Si devices. To utilize the unique characteristics of SiC devices, it is necessary to improve the characteristics of the power module package. In particular, the insulation characteristics of the package depend on the insulating substrates. In this study, we focused on the difference in dielectric breakdown points when the temperature conditions are changed. It was clarified that the factor that affects the withstand voltage may be the internal stress applied to the insulating substrate due to changes in the ambient temperature, in addition to the electric field strength distribution including the triple junctions. |
| ■版 型 |
A4 |
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