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| ・会員価格 ¥550 |
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| ■論文No. |
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| ■ページ数 |
6ページ |
■発行日
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2023/10/02 |
| ■タイトル |
シリコンのアブレーション閾値のレーザ入射角依存性 |
| ■タイトル(英語) |
Dependence of Ablation Thresholds for Silicon on Laser Incident Angle |
| ■著者名 |
草場 光博（大阪産業大学大学院工学研究科電子情報通信工学専攻），児子 史崇（大阪産業大学大学院工学研究科電子情報通信工学専攻），橋田 昌樹（東海大学総合科学技術研究所／京都大学化学研究所） |
| ■著者名(英語) |
Mitsuhiro Kusaba (Graduate School of Engineering, Osaka Sangyo University), Fumitaka Nigo (Graduate School of Engineering, Osaka Sangyo University), Masaki Hashida (RIST, Tokai University/ICR, Kyoto University) |
| ■価格 |
会員 ¥550 一般 ¥770 |
| ■書籍種類 |
論文誌(論文単位) |
| ■グループ名 |
【A】基礎・材料・共通部門 |
| ■本誌 |
電気学会論文誌A（基礎・材料・共通部門誌） Vol.143 No.10 （2023） 特集：未来社会に向けた先端光応用・視覚技術II
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| ■本誌掲載ページ |
314-319ページ |
| ■原稿種別 |
論文／日本語 |
| ■電子版へのリンク |
https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejfms/143/10/143_314/_article/-char/ja/
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| ■キーワード |
アブレーション閾値，シリコン基板，XeClエキシマレーザ，偏光，入射角 ablation threshold，silicon substrate，XeCl excimer laser，polarization，incident angle |
| ■要約(日本語) |
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| ■要約(英語) |
This study investigated the dependence of ablation thresholds for Si on the incident angle of a P- or S- polarized XeCl excimer laser (0°, 15°, 30°, 45°, and 60°). As the incident angle increased, the ablation threshold decreased for the P-polarized laser and increased for the S-polarized laser. It was found that the dependence of the ablation threshold on laser incident angle was related to the incidence angle dependence of the reflectance for P-polarized or S-polarized laser light. Based on observed laser incident angle dependence of the ablation threshold for Si, periodic nanostructures of several hundreds of nanometers were formed over the entire surface of a pyramid structure when silicon solar cells were irradiated with linearly polarized laser pulses rotated 90° at a laser fluence of 0.5 J/cm2. |
| ■版 型 |
A4 |
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