| *商品について |
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| ・会員価格 ¥550 |
| ・一般価格 ¥770 |
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| こちらはBookPark「電気学会 電子図書館（IEEJ Electronic Library）」による文献紹介ページです。 |
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| ■論文No. |
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| ■ページ数 |
4ページ |
■発行日
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2021/08/01 |
| ■タイトル |
GaNを用いた半導体試験装置向け8 Gbps高速リレーMMIC |
| ■タイトル(英語) |
GaN 8Gbps High-Speed Relay MMIC for Automated Test Equipment |
| ■著者名 |
小山 慧（（株）アドバンテスト研究所），佐藤 拓（（株）アドバンテスト研究所），岡安 潤一（（株）アドバンテスト研究所），岡部 秀之（（株）アドバンテスト研究所），君島 正幸（（株）アドバンテスト研究所） |
| ■著者名(英語) |
Satoshi Koyama (Advantest Labs.), Taku Sato (Advantest Labs.), Jun'ichi Okayasu (Advantest Labs.), Hideyuki Okabe (Advantest Labs.), Masayuki Kimishima (Advantest Labs.) |
| ■価格 |
会員 ¥550 一般 ¥770 |
| ■書籍種類 |
論文誌(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 |
| ■本誌 |
電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.141 No.8 （2021） 特集：Smart Cityのためのモビリティ及び通信技術
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| ■本誌掲載ページ |
856-859ページ |
| ■原稿種別 |
論文／日本語 |
| ■電子版へのリンク |
https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/141/8/141_856/_article/-char/ja/
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| ■キーワード |
窒化ガリウム，MIS-HEMT，RFスイッチ，半導体試験装置 gallium nitride，MIS-HEMT，RF switch，automated test equipment |
| ■要約(日本語) |
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| ■要約(英語) |
An 8 Gbps high-speed relay MMIC for an Automated Test Equipment (ATE) using a gallium nitride is developed and evaluated. Metal-Insulator-Semiconductor structure with a tantalum oxynitride is employed to reduce a leakage current for ATE applications. The fabricated MMIC shows 0.3 nA of the leakage current, 12 GHz of a -3 dB bandwidth, and excellent eye-opening of 8 Gbps signals with a 18-leads QFN package. The MMIC has 2.0×2.4 mm of package size and achieves higher channel density than an existing photo relay generally applied in ATE. |
| ■版 型 |
A4 |
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