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| ・会員価格 ¥550 |
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| ■論文No. |
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| ■ページ数 |
6ページ |
■発行日
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2024/11/01 |
| ■タイトル |
ナノシートMOSFETに関する電気特性のシート膜厚及びゲート電圧依存性の解析 |
| ■タイトル(英語) |
Analysis of Sheet Thickness and Gate Voltage Dependence of Electrical Characteristics for Nanosheet MOSFETs |
| ■著者名 |
細田 光星（京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科），廣木 彰（京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科） |
| ■著者名(英語) |
Kosei Hosoda (Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology), Akira Hiroki (Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology) |
| ■価格 |
会員 ¥550 一般 ¥770 |
| ■書籍種類 |
論文誌(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 |
| ■本誌 |
電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.144 No.11 （2024） 特集Ⅰ：電気関係学会関西連合大会 特集Ⅱ：電子材料関連技術の最近の進展
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| ■本誌掲載ページ |
1032-1037ページ |
| ■原稿種別 |
論文／日本語 |
| ■電子版へのリンク |
https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/144/11/144_1032/_article/-char/ja/
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| ■キーワード |
ナノシートMOSFET，量子ドリフト拡散モデル，デバイスシミュレーション，設計指針 nanosheet MOSFETs，quantum drift diffusion model，device simulation，design guideline |
| ■要約(日本語) |
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| ■要約(英語) |
In this paper, we have analyzed sheet thickness and gate voltage dependence of electrical characteristics for nanosheet MOSFETs using a device simulation that takes quantum confinement effects into account. Since the sheet thickness of nanosheet MOSFETs decreases to several nanometers, the simulated on-current shows significant reduction compared to the on-current required in the device design due to the quantum confinement effect. We analyze the relative difference between the on-current required in the device design and the simulated on-current and propose a design guideline using the relative difference. In order to suppress the relative difference of the on-currents within 3%, the minimum sizes of the sheet thickness are 3.4, 4.5, and 5.5 nm at supply voltages of 0.70, 0.60, and 0.50 V, respectively. |
| ■版 型 |
Ａ４ |
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