| *商品について |
|
表紙はついていません（本文のみ中綴じ製本です）。
号単位でも購入できます。
すべてモノクロ印刷です。
Extended Summaryはついていません。
|
 |
| ・会員価格 ¥550 |
| ・一般価格 ¥770 |
|
|
| こちらはBookPark「電気学会 電子図書館（IEEJ Electronic Library）」による文献紹介ページです。 |
|
 |
 |
電気学会会員の方はこちらから一旦ログインのうえ、マイページからお入りください。
会員価格で購入することができます。
|
|
| 非会員の方はログインの必要はありません。このまま お進みください。 |
|
|
| ■論文No. |
|
| ■ページ数 |
6ページ |
■発行日
|
2024/11/01 |
| ■タイトル |
Nanosheet構造MOSFETの電子密度ピーク位置の解析モデル |
| ■タイトル(英語) |
Analytical Model of the Electron Density Peak Position of Nanosheet MOSFETs |
| ■著者名 |
伊東 龍平（京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科），廣木 彰（京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科） |
| ■著者名(英語) |
Ryuhei Ito (Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology), Akira Hiroki (Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology) |
| ■価格 |
会員 ¥550 一般 ¥770 |
| ■書籍種類 |
論文誌(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 |
| ■本誌 |
電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.144 No.11 （2024） 特集Ⅰ：電気関係学会関西連合大会 特集Ⅱ：電子材料関連技術の最近の進展
|
| ■本誌掲載ページ |
1038-1043ページ |
| ■原稿種別 |
論文／日本語 |
| ■電子版へのリンク |
https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/144/11/144_1038/_article/-char/ja/
|
| ■キーワード |
Nanosheet構造MOSFET，量子閉じ込め効果，デバイスシミュレーション，量子ドリフト拡散モデル，電子密度分布 nanosheet MOSFETs，quantum confinement effect，device simulation，quantum drift diffusion model，electron density |
| ■要約(日本語) |
|
| ■要約(英語) |
In this work, we propose an analytical model for predicting the peak position of electron density in Nanosheet MOSFETs. Quantum drift diffusion model is used to examine the distribution of electron density. Specifically, we investigate the gate voltage dependence of the electron density peak position for varying sheet film thicknesses, considering the analytical model for each thickness. Our investigation focuses on sheet film thicknesses of 10nm and 4nm. The results indicate that for the film thickness of 10nm, two electron density peaks are integrated at the center when the gate voltage is 0.4 V, whereas for the film thickness of 4nm, two peaks are integrated at the center with a gate voltage of 0.7 V. Utilizing the simulation results of electron density distribution, we estimate the parameters of the analytical model equation for both film thicknesses. Subsequently, we evaluate the estimated results by comparing them with the simulation results. The analytical model shows an accuracy with only 5.53% discrepancy from the simulation results for the film thickness of 10nm and only 4.01% discrepancy for the film thickness of 4nm. |
| ■版 型 |
Ａ４ |
|
|
|
