| *商品について |
|
表紙はついていません（本文のみ中綴じ製本です）。
号単位でも購入できます。
すべてモノクロ印刷です。
Extended Summaryはついていません。
|
 |
| ・会員価格 ¥550 |
| ・一般価格 ¥770 |
|
|
| こちらはBookPark「電気学会 電子図書館（IEEJ Electronic Library）」による文献紹介ページです。 |
|
 |
 |
電気学会会員の方はこちらから一旦ログインのうえ、マイページからお入りください。
会員価格で購入することができます。
|
|
| 非会員の方はログインの必要はありません。このまま お進みください。 |
|
|
| ■論文No. |
|
| ■ページ数 |
8ページ |
■発行日
|
2024/07/01 |
| ■タイトル |
Analysis and Design of Class-E Amplifier with Nonlinear Output Capacitance Model Using Sigmoid Function for GaN HEMT |
| ■タイトル(英語) |
Analysis and Design of Class-E Amplifier with Nonlinear Output Capacitance Model Using Sigmoid Function for GaN HEMT |
| ■著者名 |
Shota Seki (Graduate School of Engineering., Osaka University), Tsuyoshi Funaki (Graduate School of Engineering., Osaka University) |
| ■著者名(英語) |
Shota Seki (Graduate School of Engineering., Osaka University), Tsuyoshi Funaki (Graduate School of Engineering., Osaka University) |
| ■価格 |
会員 ¥550 一般 ¥770 |
| ■書籍種類 |
論文誌(論文単位) |
| ■グループ名 |
【D】産業応用部門（英文） |
| ■本誌 |
IEEJ Journal of Industry Applications Vol.13 No.4 （2024） Special Issue on “JIASC 2023”
|
| ■本誌掲載ページ |
437-444ページ |
| ■原稿種別 |
論文／英語 |
| ■電子版へのリンク |
https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejjia/13/4/13_23013822/_article/-char/ja/
|
| ■キーワード |
class-E，soft-switching，GaN，sigmoid，27.12，40.68 |
| ■要約(日本語) |
|
| ■要約(英語) |
High-switching frequency power converters are used in wireless power transmission and material processing. Soft-switching technique is crucial to reduce switching loss in high-frequency operation, e. g. ISM (Industrial Scientific and Medical) bands such as 13.56MHz and 27.12MHz. Recently, GaN power devices are expected to realize high-frequency operation of a power converter. The voltage dependency of the output capacitance in GaN power device exhibits highly nonlinear characteristics, making the analysis and design of the power converter difficult. This paper proposes to apply the sigmoid function to model the voltage dependency of the output capacitance in a GaN power device. The design of the class-E amplifier using the proposed model is presented. Circuit simulations with device model and experiments demonstrate class-E switching operation. |
| ■版 型 |
A4 |
|
|
|
