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■論文No. SPC05081
■ページ数 8ページ
■発行日
2005/10/28
■タイトル

フローティングアイランドと厚い酸化膜をトレンチ底部に備えた超低抵抗トレンチゲートMOSFET(FITMOS)-優れた内蔵ダイオードを有する60V耐圧超低抵抗MOSFET-

■タイトル(英語)

Floating Island and Thick Bottom Oxide Trench Gate MOSFET (FITMOS) -A 60V Ultra Low On-Resistance Novel MOSFET with Superior internal Body Diode-

■著者名 高谷 秀史(トヨタ自動車),宮城 恭輔(トヨタ自動車),濱田 公守(トヨタ自動車),大倉康嗣 (デンソー),戸倉 規仁(デンソー),黒柳 晃(デンソー)
■著者名(英語) Hidefumi Takaya(Toyota Motor Corporation),Kyosuke Miyagi(Toyota Motor Corporation),Kimimori Hamada(Toyota Motor Corporation),Yasushi Okura(DENSO CORPORATION),Norihito Tokura(DENSO CORPORATION),Akira Kuroyanagi(DENSO CORPORATION)
■価格 会員 ¥220 一般 ¥330
■書籍種類 研究会(論文単位)
■グループ名 【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会
■本誌
■本誌掲載ページ ページ
■原稿種別 日本語
■電子版へのリンク
■キーワード MOSFET|フローティングアイランド|オン抵抗|内蔵ダイオード|セルフアライメント|MOSFET|floating island|on-resistance|internal body diode|self-alignment
■要約(日本語)
■要約(英語)
■版 型 A4
■PDFファイルサイズ 663Kバイト
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