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| ■論文No. |
4-018 |
| ■ページ数 |
1ページ |
■発行日
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2016/03/05 |
| ■タイトル |
インバータ保護動作を想定したSiC-MOSFETボディダイオードVf劣化評価方法の提案 |
| ■タイトル(英語) |
The Proposition of SiC-MOSFET Body Diode Vf Degradation Evaluation Method that Inverter Protection was Assumed |
| ■著者名 |
葛巻 淳彦(東芝),新妻 孝則(東芝),松本 脩平(東芝),餅川 宏(東芝) |
| ■著者名(英語) |
Kuzumaki Atsuhiko(Toshiba Corporation),Niizuma Takanori(Toshiba Corporation),Matsumoto Shuhei(Toshiba Corporation),Mochikawa Hiroshi(Toshiba Corporation) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥440 |
| ■書籍種類 |
全国大会 |
| ■グループ名 |
【全国大会】平成28年電気学会全国大会論文集 |
| ■本誌掲載ページ |
ページ |
| ■キーワード |
SiC,ボディダイオード,Vf劣化,信頼性 |
| ■要約(日本語) |
オールSiCインバータの適用デバイスは、SiC-MOSFETとSiC-SBDの組み合わせが多い。SiC-MOSFETボディダイオードを利用すれば、SiC-SBDレス化が可能となり、半導体チップ面積削減による、モジュール小型化が望める。しかし、SiC-MOSFETボディダイオードは、結晶欠陥などによる、Vf劣化の信頼性問題がある。インバータ交流短絡事故の大電流を遮断すると、その大電流は、ダイオードを通して還流する。今回、この還流電流を想定した、1.2kV SiC-MOS FETボディダイオードのVf劣化評価を実施したので、その結果を報告する。 |
| ■要約(英語) |
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| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
208Kバイト |
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