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| ■論文No. |
2-102 |
| ■ページ数 |
2ページ |
■発行日
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2019/03/01 |
| ■タイトル |
溶液法により作製したIGZO-TFTのオゾン暴露に対する濃度応答性 |
| ■タイトル(英語) |
Response characteristics of a solution-processed IGZO-TFT exposed to various concentration of ozone |
| ■著者名 |
古川 航(芝浦工業大学),林 秀臣(芝浦工業大学),西川 宏之(芝浦工業大学),森本 貴明(防衛大学校) |
| ■著者名(英語) |
Wataru Furukawa(Shibaura Institute of Technology),Hidetaka Hayashi(Shibaura Institute of Technology),Hiroyuki Nishikawa(Shibaura Institute of Technology),Morimoto Takaaki(National Defense Academy of Japan) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥440 |
| ■書籍種類 |
全国大会 |
| ■グループ名 |
【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集 |
| ■本誌掲載ページ |
ページ |
| ■キーワード |
IGZO半導体,溶液法,オゾンセンサ |
| ■要約(日本語) |
溶液法により作製したIGZO薄膜はアモルファス膜であり、ガスセンサによく利用される結晶膜のZnO、SnO2などと比較して高い透明性、フレキシブル性、脱真空プロセスによる低コスト化など多くの付加価値を有する。本研究では、溶液法によるa-IGZO薄膜を用いたIGZO-TFTの作製を行い、IGZO-TFTのガスセンサ応用に関してオゾンガス反応特性の評価を行った。UV照射によるTFT回復特性とオゾン濃度依存性を評価し、オゾンセンサとしての実現可能性を示した。 |
| ■要約(英語) |
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| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
308Kバイト |
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