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| ■論文No. |
4-020 |
| ■ページ数 |
2ページ |
■発行日
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2019/03/01 |
| ■タイトル |
並列接続したデバイスの電流アンバランスにDCバスの磁気的結合が与える影響 |
| ■タイトル(英語) |
Influence of magnetic coupling of DC bus on the current imbalance of the parallel connected devices |
| ■著者名 |
石川 清太郎(筑波大学),磯部 高範(筑波大学),只野 博(筑波大学) |
| ■著者名(英語) |
Seitaro Ishikawa(University of Tsukuba),Takanori Isobe(University of Tsukuba),Hiroshi Tadano(University of Tsukuba) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥440 |
| ■書籍種類 |
全国大会 |
| ■グループ名 |
【全国大会】平成31年電気学会全国大会論文集 |
| ■本誌掲載ページ |
ページ |
| ■キーワード |
SiC-MOSFET,並列接続,電流アンバランス,DCバス,磁気結合,SiC-SBD |
| ■要約(日本語) |
SiC-MOSFETを大電力アプリケーションに適用する場合，電流容量を増加させるために並列接続が必要である。その場合の課題として，電流アンバランス現象が挙げられる。この現象に関する検討はいくつか行われているが，主回路構造に着目した検討は行われていない。主回路全体の小型化に伴い，レグ部とDCバスを近接させる必要があり，並列接続部にDCバスが与える磁気的影響はより強くなると考えられる。本稿では，電流アンバランスにDCバスが与える影響を実験で検証した。その結果，並列接続部とDCバスの磁気的影響により，磁気結合が最も強い部分では電流アンバランス差が最大になり，結合が弱まると電流アンバランス差は小さくなることを確認した。 |
| ■要約(英語) |
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| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
436Kバイト |
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