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| ■論文No. |
4-021 |
| ■ページ数 |
1ページ |
■発行日
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2024/03/01 |
| ■タイトル |
SiC-MOSFET適用変換器を想定したDESAT短絡保護動作の評価 |
| ■タイトル(英語) |
Evaluation of DESAT Short-Circuit Protection Assuming Converter Applied SiC-MOSFFETs |
| ■著者名 |
葛巻淳彦（東芝インフラシステムズ）,安田篤（東芝インフラシステムズ）,倉智聡（東芝インフラシステムズ）,松下晃久（東芝インフラシステムズ） |
| ■著者名(英語) |
Atsuhiko Kuzumaki (Toshiba Infrastructure Systems & Solutions Corporation),Atsushi Yasuda (Toshiba Infrastructure Systems & Solutions Corporation),Satoshi Kurachi (Toshiba Infrastructure Systems & Solutions Corporation),Akihisa Matsushita (Tos |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥440 |
| ■書籍種類 |
全国大会 |
| ■グループ名 |
【全国大会】令和6年電気学会全国大会論文集 |
| ■本誌掲載ページ |
36-37ページ |
| ■キーワード |
SiC-MOSFET|DESAT|短絡保護|短絡電流|短絡エネルギー|SiC-MOSFET|DESAT|short-circuit protection|short-circuit current|short-circuit energy |
| ■要約(日本語) |
SiC-MOSFETモジュールのDESAT短絡保護動作を評価した。定格1200V,600Aの2in1モジュールを，直流電圧700V，温度100℃，上アームの短絡模擬素子を常時ゲートオンさせ，下アームのSiC-MOSFETのターンオンと同時に短絡させた。実験の結果，サージ電圧965V，短絡電流ピーク5kA，短絡エネルギー3.2J，短絡開始から電流遮断までの期間3.4µsで高速に短絡保護できた。高速な短絡検出と，素子耐圧以下のサージ電圧，かつ，素子破壊なく電流遮断することができた。 |
| ■要約(英語) |
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| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
380Kバイト |
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