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Reference : 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会、発行日(降順)
検索結果 全447 件 Page: [1][2][3][4][5]・・・[15]
1.GaN MMICを実装した導波管3電力合成回路に関する検討
An X-band 3-Way Spatial Power Combiner Utilizing Rectangular Waveguide and GaN MMICs
論文No: EDD23074 ページ数: 4 日付: 2023/12/05
著者: 木下 拓真(呉工業高等専門学校),新浜 優貴(呉工業高等専門学校),黒木 太司(呉工業高等専門学校),佐藤 優(富士通)
キーワード : マイクロ波|空間電力合成|MMIC|矩形導波管|リッジ導波管|X帯|microwave|Spatial Power Combining|MMIC|Rectangular waveguide|Ridge waveguide|X-band
近年のMMIC増幅器の高出力化により、電力合成技術に注目が集まっている。本論文ではX帯におけるGaN MMICと矩形導波管を用いた空間3電力合成回路の検討を行った。本電力合成回路はリッジ導波管を用いた導波管−マイクロスト ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 1-4
本誌: 2023年12月8日電子デバイス研究会
会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330
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2.W帯増幅器を用いた電力合成器の設計に関する一検討
A Consideration on Design of Power Combiner Using MMIC Amplifier at W-Band
論文No: EDD23075 ページ数: 2 日付: 2023/12/05
著者: 新浜 貴翔(呉工業高等専門学校),木下 拓真(呉工業高等専門学校),黒木 太司(呉工業高等専門学校)
キーワード : ミリ波|マイクロ波|電力合成器|W帯|単純化|T分岐|Millimeter wave|Microwave|Power Combiner|W-Band|Simplify|T-Junction
電力分配(合成)回路と導波管-マイクロストリップ変換器の構造を単純化することにより、試作が容易かつ合成数を増やしやすいW帯電力合成器を設計した。
サイズ:A4 掲載ページ: 5-6
本誌: 2023年12月8日電子デバイス研究会
会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330
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3.AMラジオ波を利用した土砂災害予知システム用ヘテロダイン受信機の検討
Consideration of Heterodyne Receiver for Landslide Prediction System Using AM Radio Waves
論文No: EDD23076 ページ数: 2 日付: 2023/12/05
著者: 新浜 優貴(呉工業高等専門学校),黒木 太司(呉工業高等専門学校)
キーワード : 中波|ヘテロダイン受信機|土砂災害予知|AMラジオ|土中含水率|Medium Wave|heterodyne receiver|Landslide prediction|AM radio|Soil moisture content
地球温暖化によって土砂災害による被害は増えている。土砂災害発生には土中含水率が関係しており、これをAMラジオ波の受信強度を用いて継続的に計測することが研究されている。受信強度を直流電圧値に変換し、LoRaでA/D変換後に ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 7-8
本誌: 2023年12月8日電子デバイス研究会
会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330
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4.80GHz帯誘電体充填金属ロッドトリプレート線路フィルタの設計
Design of BPF Using Metal Rod Inserted in Parallel Metal Plates Filled by Dielectric Material at 80GHz
論文No: EDD23077 ページ数: 2 日付: 2023/12/05
著者: 大谷 元続(呉工業高等専門学校),黒木 太司(呉工業高等専門学校)
キーワード : ミリ波|マイクロ波|バンドパスフィルタ|Micro waves|Milimeter waves|BPF
誘電体チューブ挿入金属ロッド伝送線路 (DTM-line) において構造的に安定な帯域フィルタを設計するため、共振器である金属ロッド周辺を誘電体で満たし、固定した。その結果80GHz帯にて低損失かつ安定な帯域フィルタを設 ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 9-10
本誌: 2023年12月8日電子デバイス研究会
会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330
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5.差動インピーダンス変換部を放射素子とした レクテナ用広帯域アンテナ
Wideband Antenna for Rectenna Designed to Radiate Directly from Differential Impedance Conversion Element
論文No: EDD23078 ページ数: 6 日付: 2023/12/05
著者: 吉川 博道(京セラ),猫塚 光(京セラ),福岡 泰彦(京セラ)
キーワード : アンテナ|レクテナ|差動|広帯域|Antenna|Rectenna|differential| wideband
近年、エネルギーハーベスティング用広帯域なレクテナに関する多くの研究が行われている。アンテナから受信した電力を取り出す際、シングルエンド(+V, 0)よりも差動出力(+V,-V)にすることで電圧差を大きくすることができる ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 11-16
本誌: 2023年12月8日電子デバイス研究会
会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330
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6.電力出力段を2並列化した39 - 67GHz CMOS可変利得電力増幅器
39 - 67 GHz CMOS Multistage Variable Gain Power Amplifier With Two-Way Power Stage
論文No: EDD23079 ページ数: 3 日付: 2023/12/05
著者: 沖井 将(東京理科大学),原 紳介(情報通信研究機構),笠松 章史(情報通信研究機構),楳田 洋太郎(東京理科大学),高野 恭弥(東京理科大学)
キーワード : 可変利得増幅器|差動2並列構造|CMOS集積回路|多段アーキテクチャ|variable gain amplifier|differential 2-parallel configuration|CMOS integrated circuits|multistage architecture
この論文では、最大 67 GHz で動作する 28 GHz の帯域幅を備えた可変利得増幅器 (VGA) について報告します。 VGAは8段アンプ構成にすることで広帯域を実現します。 また、出力段に差動2並列構成を採用する ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 17-19
本誌: 2023年12月8日電子デバイス研究会
会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330
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7.40nmCMOS技術による帯域幅50.7GHzの125GHz帯ソース駆動ギルバートセルミキサ
A 125 GHz Source-Driven Gilbert-Cell Mixer with Bandwidth of 50.7 GHz in 40-nm CMOS Technology
論文No: EDD23080 ページ数: 4 日付: 2023/12/05
著者: 阿部 敏明(東京理科大学),原 紳介(情報通信研究機構),笠松 章史(情報通信研究機構),楳田 洋太郎(東京理科大学),高野 恭弥(東京理科大学)
キーワード : CMOS|ギルバートセル|ソース駆動|サブテラヘルツ|アップコンバージョンミキサ|広帯域|CMOS|gilbert cell|source driven|sub-THz|up-conversion mixer|wideband
本論文では、40nm CMOSプロセスを用いたDバンド広帯域ダブルバランスドアップコンバージョンミキサを紹介する。従来のギルバートセルミキサでは、入力信号はMOSFETのゲートに入力される。しかし、MOSFETのゲートは ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 21-24
本誌: 2023年12月8日電子デバイス研究会
会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330
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8.ミリ波円筒空洞共振器を用いた高周波誘電体基板の複素誘電率の周波数依存性測定
Frequency dependence measurement of complex permittivity for high-frequency dielectric substrates using millimeter wave circular empty cavities
論文No: EDD23081 ページ数: 4 日付: 2023/12/05
著者: 坂田 凌(宇都宮大学),清水 隆志(宇都宮大学)
キーワード : 円筒空洞共振器法|誘電体材料|複素誘電率|周波数依存性|ミリ波|Circular empty cavity method|Dielectric material|Complex permittivity|Frequency dependence|Millimeter wave
近年、Beyond 5G/6Gといった移動通信技術の開発に伴い、ミリ波帯における回路設計の需要が高まっている。回路設計において、設計周波数帯における誘電体基板材料の複素誘電率を正確に把握することが重要である。本報告では、 ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 25-28
本誌: 2023年12月8日電子デバイス研究会
会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330
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9.5G/6G向けミリ波・サブテラヘルツ波フェイズドアレー実装技術
Millimeter-wave and Sub-terahertz Phased-arrays for 5G and 6G
論文No: EDD23019 ページ数: 6 日付: 2023/03/24
著者: 國弘 和明(日本電気),大島 直樹(日本電気),丹治 康紀(日本電気),パン ジェン(東京工業大学),白根 篤史(東京工業大学),岡田 健一(東京工業大学)
キーワード : ミリ波|サブテラヘルツ|フェイズドアレー|5G|6G|CMOS|Millimeter-wave|Sub-terahertz|Phased array|5G|6G|CMOS
本稿では、5Gにおけるミリ波や、6Gにおけるサブテラヘルツ波を用いた高速無線通信で必要となるアクティブフェイズドアレーアンテナ(APAA)の実装技術について述べる。5Gミリ波向けに、独自の双方向性送受信回路を用いた28G ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 1-6
本誌: 2023年3月27日電子デバイス研究会
会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330
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10.InP系MOS-HEMTによるサブテラヘルツ帯パワーアンプ
Sub-Terahertz Power Amplifiers Using InP-Based MOS-HEMTs
論文No: EDD23020 ページ数: 6 日付: 2023/03/24
著者: 熊崎 祐介(富士通),尾崎 史朗(富士通),岡本 直哉(富士通),原 直紀(富士通),中舍 安宏(富士通),佐藤 優(富士通),多木 俊裕(富士通)
キーワード : 増幅器|高電子移動度トランジスタ|テラヘルツ|300GHz帯|6G|power amplifier|HEMT|terahertz|300-GHz-band|6G
本研究では高効率なサブテラヘルツ帯パワーアンプをInP系MOS-HEMTで実現した。Al2O3ゲート絶縁膜の適用とドレイン側アクセス領域の最適化により、トランジスタのDCおよびRF特性を改善した。広帯域で共役整合する段間 ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 7-12
本誌: 2023年3月27日電子デバイス研究会
会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330
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11.InPデバイス高密度異種集積に向けたWaferLevelPackage技術の製造課題と解決へのアプローチ
Solutions Strategies for Fabrication Challenges in Wafer Level Pachaging Optimized for High-density Heterogeneous Integration of InP Devices
論文No: EDD23021 ページ数: 6 日付: 2023/03/24
著者: 荒木 友輔(日本電信電話),白鳥 悠太(日本電信電話),中島 史人(日本電信電話)
キーワード : ウエハレベルパッケージ|InP|Beyond 5G|ウエハ反り|ダイシフト|チップクラック|wafer level package|InP|Beyond 5G|warpage|die shift|chip crack
InP超高速ICは、THz帯域を用いたBeyond 5G無線通信におけるアナログフロントエンドICとして期待されている。その応用に向けては、THz帯の伝搬損失を抑制しつつSi集積回路の統合も視野に入れた超小型パッケージン ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 13-18
本誌: 2023年3月27日電子デバイス研究会
会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330
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12.内蔵SBDの新規配置構造による、SiC-MOSFETのRonA-逆導通信頼性トレードオフの改善
Design guidelines for SBD integration into SiC-MOSFET breaking RonA- diode conduction capability trade-off
論文No: EDD23022 ページ数: 5 日付: 2023/03/24
著者: 朝羽 俊介(東芝デバイス&ストレージ/東芝),古川 大(東芝デバイス&ストレージ),楠本 雄司(東芝デバイス&ストレージ),飯島 良介(東芝),河野 洋志(東芝デバイス&ストレージ)
キーワード : SiC|MOSFET|SBD内蔵|SiC|MOSFET|embedded- SBD
セル部にSchottky Barrier Diodeを統合したSBD内蔵SiC-MOSFETは、ダイオード通電時の信頼性に優れる一方で、チャネル密度が低いためオン抵抗が高い課題がある。今回、SBDの配置パターンを従来のス ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 19-23
本誌: 2023年3月27日電子デバイス研究会
会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330
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13.1.2 kV耐圧SiCトレンチMOSFET内蔵ダイオード順方向サージ電流耐量の解析
Analysis of surge current capability of internal pin diodes in 1.2 kV SiC trench MOSFETs
論文No: EDD23023 ページ数: 6 日付: 2023/03/24
著者: 北村 雄大(筑波大学),岩室 憲幸(筑波大学),矢野 裕司(筑波大学),原田 信介(産業技術総合研究所),佐藤 弘(産業技術総合研究所)
キーワード : SiCトレンチMOSFET|内蔵pinダイオード|順方向サージ電流耐量|Cuブロック|SiC trench MOSFET|Internal pin diodes|Surge current capability|Cu block
1.2 kV耐圧のSiCトレンチMOSFETにおいて、内蔵ダイオードの順方向サージ電流耐量を確保することは非常に重要である。本研究では、デバイス表面に熱容量の大きいCuブロックを付加した際に試験中のデバイス内部の放熱性が ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 25-30
本誌: 2023年3月27日電子デバイス研究会
会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330
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14.オーミック金属下n-GaNにおける電子移動度向上: 多端子ホール測定による評価
Electron mobility enhancement in n-GaN under Ohmic-metal: characterization by multi-probe-Hall measurement
論文No: EDD23024 ページ数: 6 日付: 2023/03/24
著者: 瓜生 和也(北陸先端科学技術大学院大学/ アドバンテスト研究所),Deng Yuchen (北陸先端科学技術大学院大学),Le Son Phuong (Linkoping大学),鈴木 寿一(北陸先端科学技術大学院大学)
キーワード : n型GaN|多端子ホール測定|オーミックコンタクト|n-GaN|multi-probe-Hall measurement|Ohmic contact
半導体内部の電気特性は, オーミック金属形成により変化する. 我々はこれまでに, 多端子ホール測定によりオーミック金属下半導体におけるシート抵抗, キャリア密度および移動度を評価する手法を提案した. 本報告では, 多端子 ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 31-36
本誌: 2023年3月27日電子デバイス研究会
会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330
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15.高抵抗炭素ドープGaNバッファ上N極性GaN HEMTの高周波特性評価
RF characteristics of N-polar GaN HEMT with high-resistivity C-doped GaN buffer
論文No: EDD23025 ページ数: 4 日付: 2023/03/24
著者: 吉屋 佑樹(日本電信電話株式会社),星 拓也(日本電信電話株式会社),堤 卓也(日本電信電話株式会社),杉山 弘樹(日本電信電話株式会社),中島 史人(日本電信電話株式会社)
キーワード : N極性GaN|GaN HEMT|高抵抗バッファ|炭素ドープ|高周波特性|N-polar GaN|GaN HEMT|high-resistivity buffer|carbon-doped|RF characteristics
N極性GaNはMOCVD法で成長する際にGa極性と比較して酸素を取込みやすく、残留キャリア密度が高くなりやすい。これはHEMT動作時にバッファリークの要因となり、RFデバイスにおいて高周波化を制限する。今回リーク抑制のた ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 37-40
本誌: 2023年3月27日電子デバイス研究会
会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330
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16.300GHz帯DTMラインの伝送特性の計算
Numerical calculation on transmission characteristics of DTM-line in 300GHz bands
論文No: EDD22065 ページ数: 3 日付: 2022/12/17
著者: 新浜 優貴(呉工業高等専門学校),黒木 太司(呉工業高等専門学校),宮本 和哉(宮本機器開発)
キーワード : マイクロ波|ミリ波|THz|micro waves|millimeter waves|THz
分析化学や医療センサなどで期待されるテラヘルツ帯の導波路の候補として、本論では誘電体チューブ挿入金属ロッド伝送線路(Dielectric-tube-supported Metal Rod Transmission Lin ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 1-3
本誌: 2022年12月20日電子デバイス研究会
会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330
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17.300GHz帯におけるDTMラインとTE10方形導波管の接続に関する一検討
Consideration on Transition between DTM-line and TE10 Rectangular Hollow Metal Waveguide in 300 GHz Bands
論文No: EDD22066 ページ数: 2 日付: 2022/12/17
著者: 木下 拓真(呉工業高等専門学校),黒木 太司(呉工業高等専門学校),宮本 和哉(宮本機器開発)
キーワード : マイクロ波|ミリ波|THz|Microwaves|millimeter waves|THz
Beyond5Gに向けサブミリ波帯への注目が集まっており,中でもこの周波数帯で大気の伝搬損失が比較的少ない300 GHz帯を利用した通信回路の研究が検討されている.サブミリ帯の回路設計では伝送損失の増大が障壁となるが ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 5-6
本誌: 2022年12月20日電子デバイス研究会
会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330
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18.3D プリンタ用熱可塑性丸棒のミリ波複素誘電率および不確かさ評価
Millimeter wave complex permittivity measurement of thermoplastic rod for 3D printers and its uncertainty
論文No: EDD22067 ページ数: 6 日付: 2022/12/17
著者: 高橋 駿平(宇都宮大学),清水 隆志(宇都宮大学)
キーワード : 誘電体丸棒|熱可塑性樹脂|空洞共振器|複素誘電率|不確かさ|ミリ波|dielectric rod|thermoplastic resin|cavity resonator|complex permittivity|uncertainty|millimeter wave
我々は50GHz帯TM010モード空洞共振器を用いて、3Dプリンタ用熱可塑性樹脂丸棒の複素誘電率測定を行ってきた。しかし、試料毎の測定ばらつきが大きいという課題があった。本研究では、50GHz帯TM010モード空洞共振器 ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 7-12
本誌: 2022年12月20日電子デバイス研究会
会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330
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19.並列接続されたマイクロ波用整流回路の電流電圧特性
I-V Characteristics of the Parallel Connected Rectifiers with Microwave Input
論文No: EDD22068 ページ数: 4 日付: 2022/12/17
著者: 平川 昂(ソフトバンク),長谷川 直輝(ソフトバンク),中本 悠太(ソフトバンク),太田 喜元(ソフトバンク)
キーワード : 整流回路|マイクロ波|電流電圧特性|RF−DC変換効率|Rectifier|Microwave|I-V characteristics|RF-DC conversion efficiency
無線電力伝送技術において、レクテナのアレー化は大電力化および高周波化に重要な要素技術である。レクテナアレーにおける電力合成にはRF電力合成とDC電力合成の2つである。本研究は並列接続によるDC電力合成手法に着目し、整列接 ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 13-16
本誌: 2022年12月20日電子デバイス研究会
会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330
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20.MIMO対応Beyond 5G基地局RF装置の小型化の一検討
A study of compact RF equipment for beyond 5G base stations supporting MIMO multiplexing
論文No: EDD22069 ページ数: 5 日付: 2022/12/17
著者: 加保 貴奈(湘南工科大学),宗 秀哉(湘南工科大学)
キーワード : 基地局装置|MIMO|フェーズドアレーアンテナ|階段状アレーアンテナ|バトラーマトリクス|移相器|base station|MIMO|phased array antenna|staircase array antenna|Butler matrix|phase shifter
周波数資源の逼迫により5G/Beyond5Gではより高い周波数の利用が見込まれており、基地局装置はフェーズドアレーによるビームステアリングやMIMO多重化が求められている。このような機能を実現するための無線装置として、階 ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 17-21
本誌: 2022年12月20日電子デバイス研究会
会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330
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21.シリコンカーバイド極限環境用集積回路および画素デバイスの研究
SiC Integrated Circuits and Pixel Devices for Extreme-Environment Applications
論文No: EDD22017 ページ数: 3 日付: 2022/03/06
著者: 黒木 伸一郎(広島大学),志摩 拓真(広島大学),目黒 達也(広島大学),Vuong Van Cuong(広島大学),武山 昭憲(量子科学技術研究開発機構),牧野 高紘(量子科学技術研究開発機構),大島 武(量子科学技術研究開発機構),児島 一聡(産業技術総合研究所),田中 保宣(産業技術総合研究所)
キーワード : シリコンカーバイド|集積回路|イメージセンサ|耐放射線|高温|Silicon Carbide|Integrated Circuits|Image Sensor|Radiation Hardened|High Temperature
シリコンカーバイド半導体を用いた極限環境用集積回路およびイメージセンサの研究開発を進めている。これらにより原子力発電所や宇宙開発などで必要とされる耐放射線性を有し、さらに電気自動車(EV)や産業用途で求められる高温での駆 ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 1-3
本誌: 2022年3月9日電子デバイス研究会
会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330
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22.フォトニクス技術を利用したミリ波・テラヘルツ波応用のための半導体デバイス技術
Enabling Device Technologies for Photonics-assisted Millimeter and Terahertz Wave Applications
論文No: EDD22018 ページ数: 5 日付: 2022/03/06
著者: 永妻 忠夫(大阪大学)
キーワード : ミリ波|テラヘルツ波|半導体デバイス|通信|センシング|millimeter wave|terahertz wave|semiconductor device|communication|sensing
フォトニクス技術を利用したミリ波・テラヘルツ波応用のための半導体デバイス技術と、通信、センシングシステムの具体例を紹介する。
サイズ:A4 掲載ページ: 5-9
本誌: 2022年3月9日電子デバイス研究会
会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330
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23.Ku帯マルチキャリア対応衛星通信地球局用内部整合型GaN HEMT増幅器
Internally Matched GaN HEMT Power Amplifiers for Ku-Band Multi-Carrier Satellite Communications
論文No: EDD22019 ページ数: 6 日付: 2022/03/06
著者: 杉谷 拓海(三菱電機),吉岡 貴章(三菱電機),山崎 貴嗣(三菱電機),野上 洋一(三菱電機)
キーワード : GaN|電力増幅器|Ku帯|相互変調歪み|衛星通信|マルチキャリア|Gallium Nitride|Power Amplifier|Ku-band|Intermodulation Distortion|Satellite Communication|Multi-Carrier
本報告では、マルチキャリア衛星通信対応のKu帯70W GaN HEMTと30 W GaN HEMTについて述べる。増幅器の広離調化のため、整合回路には3つの差周波短絡回路を装荷し、その有効性を検証するため、出力電力の異な ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 11-16
本誌: 2022年3月9日電子デバイス研究会
会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330
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24.NO窒化処理を施した非基底面SiC MOSデバイスの信頼性
Reliability of NO-nitrided SiC MOS devices on non-basal planes
論文No: EDD22020 ページ数: 5 日付: 2022/03/06
著者: 中沼 貴澄(大阪大学),小林 拓真(大阪大学),染谷 満(産業技術総合研究所),岡本 光央(産業技術総合研究所),吉越 章隆(日本原子力研究開発機構),細井 卓治(大阪大学),志村 考功(大阪大学),渡部 平司(大阪大学)
キーワード : 炭化ケイ素|パワーデバイス|非基底面|NO窒化|MOSFET|MOS界面|Silicon Carbide|Power Device|Non-basal plane|NO nitridation|MOSFET|MOS interface
NO窒化を施した非基底面SiC MOSデバイスは高い移動度を示す。しかし窒化がMOSデバイスの信頼性に与える影響は明らかでない。本研究ではX線光電子分光法および電気的評価により非基底面MOS構造を詳細に調査した。その結果 ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 17-21
本誌: 2022年3月9日電子デバイス研究会
会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330
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25.AlNゲート絶縁体を用いたAlGaN/GaN MISデバイスにおける絶縁体/半導体界面層挿入の効果
Effects of insulator/semiconductor interfacial layer insertion in AlGaN/GaN MIS devices with AlN gate insulators
論文No: EDD22021 ページ数: 5 日付: 2022/03/06
著者: 松山 秀幸(北陸先端科学技術大学院大学),Deng Yuchen(北陸先端科学技術大学院大学),鈴木 寿一(北陸先端科学技術大学院大学)
キーワード : AlGaN/GaN MISデバイス|AlNゲート絶縁体|界面層|AlGaN/GaN MIS device|AlN gate insulator|interfacial layer
AlNゲート絶縁体を有するAlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体(MIS)デバイスにおいて,絶縁体/半導体界面層の挿入の効果を調べた.界面層としてAl,Ti,Geの極薄自然酸化膜を採用した.MISデバイスの容量-電圧特性 ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 23-27
本誌: 2022年3月9日電子デバイス研究会
会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330
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26.多端子ホール素子によるオーミック金属下半導体の特性評価法とAlGaN/GaNヘテロ構造への適用
Characterization method of semiconductors under Ohmic-metals by using multi-probe Hall devices and its application to AlGaN/GaN heterostructures
論文No: EDD22022 ページ数: 6 日付: 2022/03/06
著者: 瓜生 和也(北陸先端科学技術大学院大学, アドバンテスト研究所),木内 翔太(北陸先端科学技術大学院大学),佐藤 拓(アドバンテスト研究所),鈴木 寿一(北陸先端科学技術大学院大学)
キーワード : AlGaN/GaN|多端子ホール測定|オーミックコンタクト|AlGaN/GaN|multi-probe Hall measurement|Ohmic contact
半導体内部の電気特性は, オーミック金属形成により変化する. これまでに, オーミック金属下における半導体のシート抵抗測定方法は知られていたが, キャリア密度および移動度を評価する手法はなかった. 本研究では, 多端子ホ ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 29-34
本誌: 2022年3月9日電子デバイス研究会
会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330
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27.無線電力伝送用大電力レクテナ
High power rectenna techniques for wireless power transfer systems
論文No: EDD22023 ページ数: 6 日付: 2022/03/06
著者: 伊東 健治(金沢工業大学),坂井 尚貴(金沢工業大学),野口 啓介(金沢工業大学)
キーワード : レクテナ|整流器|アンテナ|無線電力伝送|ダイオード|E−PHEMT|Rectenna|Rectifier|Antenna|Wireless power transfer|Diodes|E-PHEMT
本報告では筆者らの無線電力伝送用レクテナの高効率化・大電力化への取り組みについて述べる.レクテナの高効率化・大電力化のためには,アンテナ/回路の低損失化そして整流用ダイオードの高性能化が課題である.アンテナ/回路の低損失 ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 35-40
本誌: 2022年3月9日電子デバイス研究会
会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330
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28.GaN HEMTを用いたGated-Anodeダイオードのマイクロ波整流特性
Microwave Rectifier Characteristics of Gated-Anode GaN HEMT based Diode
論文No: EDD22024 ページ数: 5 日付: 2022/03/06
著者: 分島 彰男(名古屋工業大学),土屋 洋一(名古屋工業大学),安藤 裕二(名古屋大学),高橋 英匡(名古屋大学),新田 州吾(名古屋大学),柳生 栄治(三菱電機),林 宏暁(三菱電機),伊東 健治(金沢工業大学),坂井 尚貴(金沢工業大学)
キーワード : AlGaN/GaN HEMT|ゲーティッドアノード・ダイオード|マイクロ波整流器|AlGaN/GaN HEMT|Gated-anode diode|Microwave rectifier
ノーマリ―オフ特性を有するAlGaN/GaN HEMTならびに、そのHEMTのゲートとドレインをショートさ せた Gated-Anode ダイオードをマイクロ波無線電力伝送用に開発した。本講演では、その構造、ダイオー ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 41-45
本誌: 2022年3月9日電子デバイス研究会
会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330
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29.GaNとSiCを一体化したハイブリッド型HEMTの研究開発
Development of hybrid HEMT with monolithically integrated GaN and SiC
論文No: EDD22025 ページ数: 4 日付: 2022/03/06
著者: 中島 昭(産業技術総合研究所),平井 悠久(産業技術総合研究所),三浦 喜直(産業技術総合研究所),原田 信介(産業技術総合研究所)
キーワード : 窒化ガリウム|炭化ケイ素|モノリシック集積|高電子移動度トランジスタ|ボディダイオード|ハイブリッド型HEMT|GaN|SiC|Monolithic integration|HEMT|Body diode|hyHEMT
我々は、SiC-PiNダイオード上にGaN-HEMTを集積化したハイブリッド型トランジスタ(hyHEMT)を提案し、その研究開発を進めている。そのコンセプト実証のため、4インチSiC基板上へhyHEMTの試作を行った。試 ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 47-50
本誌: 2022年3月9日電子デバイス研究会
会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330
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30.コプレーナ線路特性のディエンベティング −シミュレーションにおけるポート特性の除去−
De-embedding of Coplanar Waveguide Characteristics -Removal of port characteristics in simulation-
論文No: EDD21059 ページ数: 4 日付: 2021/12/20
著者: 杉本 良貴(東京都市大学),平野 拓一(東京都市大学)
キーワード : ディエンベティング|TL校正|コプレーナ線路|テラヘルツ波|De-embedding|TL Calibration|Coplanar Waveguide|Terahertz Wave
近年、通信容量拡大のためテラヘルツ波の利用について研究開発が行われている。テラヘルツ波で用いる伝送線路を精度よくシミュレーションすることは重要な課題であり、伝送線路の特性を正確に評価する必要がある。本研究では、ディエンベ ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 1-4
本誌: 2021年12月23日電子デバイス研究会
会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330
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