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当社では、ゲートをV溝型とし、高チャネル移動度で高効率化に有利な結晶面をチャネルに用いた、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）を開発してきた。今回、市場に流通する汎用モジュールと形状互換とし、V溝型SiC ... more サイズ:A4 掲載ページ: 1-5 本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 2.パワーサイクル劣化を検出するセンサデバイスの開発 Development of sensor device to detect power cycle deterioration 論文No: EDD22033,SPC22173 ページ数: 6 日付: 2022/11/28 著者: 塚本 達也(九州大学),斎藤 渉(九州大学),西澤 伸一(九州大学) キーワード : 信頼性|パワーサイクル劣化|高精度センサ|ＭＩＳＦＥＴ|パワーサイクル試験|機械的ストレス|Reliability|Power cycle degradation|High accuracy sensor|MISFET|Power cycle test|mechanical stress 高精度なセンシング技術がまだ確立していないパワーサイクル劣化に対して、低コストで、且つ、高精度な劣化検出が可能な新型センサデバイスを提案する。提案するセンサはMISFET型で、繰り返しの機械ストレスにより10倍以上の電流 ... more サイズ:A4 掲載ページ: 7-12 本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 3.IGBT高熱負荷工程におけるSiウェハの転位挙動及びプロセス低温化の検討 The Study of Dislocation Propagation in Si Wafer during IGBT High Thermal Budget Process 論文No: EDD22034,SPC22174 ページ数: 6 日付: 2022/11/28 著者: 袁 九洋(九州大学),宮村 佳児(九州大学),中野 智(九州大学),齋藤 渉(九州大学),西澤 伸一(九州大学) キーワード : シリコンウェハ|熱処理|拡散プロセス|転位密度|ＩＧＢＴ|Si Wafer|Thermal Budget Process|Diffusion Process|dislocation density|IGBT 高品質のシリコンウェハが使用されるがIGBT作製においては、酸化や拡散などの高温熱処理プロセスがあり、ウェハ内部に応力による転位が増殖し、パワーデバイスの性能を劣化させる可能性がある。本研究では、IGBT作製における ... more サイズ:A4 掲載ページ: 13-18 本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 4.結合インダクタ方式2相昇圧DC-DCコンバータへの回路平衡化適用によるコモンモードノイズ抑制 Application of Balance Technique to Two-Phase Interleaved Boost Converters with Coupled Inductor for Common-Mode Noise Reduction 論文No: EDD22035,SPC22175 ページ数: 9 日付: 2022/11/28 著者: 永井 友崇(名古屋大学),佐々木 守(名古屋大学),今岡 淳(名古屋大学),山本 真義(名古屋大学),仲野 陽(アルプスアルパイン株式会社) キーワード : ＤＣ−ＤＣコンバータ|マルチフェーズ方式|コモンモードノイズ|回路平衡化|結合インダクタ|DC-DC converter|multi-phase converter|common-mode noise|balance technique|coupled inductor 本研究では、2相インターリーブ方式昇圧DC-DCコンバータに対して、外付けノイズフィルタを用いずにコモンモード(CM)ノイズ低減を行う手法について検討する。CMノイズ抑制は「回路平衡化技術」の適用によって達成される。更に ... more サイズ:A4 掲載ページ: 19-27 本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 5.インバータ主回路の浮遊容量がスイッチング特性に及ぼす影響とその低減法の検討 Research on Influence of Stray Capacitance in Inverter Main Circuit on Switching Characteristics and Its Reduction Techniques 論文No: EDD22036,SPC22176 ページ数: 8 日付: 2022/11/28 著者: 小笠原 悟司(北海道大学),石川 光亮(北海道大学),折川 幸司(北海道大学),竹本 真紹(岡山大学) キーワード : 浮遊容量|配線インダクタンス|寄生容量|プリント回路基板|Stray capacitance|stray inductance|parasitic capacitance|printed circuit board 電圧形インバータの主回路に存在する様々な寄生成分すなわち配線インダクタンスと浮遊容量が，電力変換器のスイッチング特性に影響を与えることが広く知られている。本論文では，配線インダクタンスと浮遊容量を考慮したハーフブリッジイ ... more サイズ:A4 掲載ページ: 29-36 本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 6.交流リアクトルを有するインバータシステムのDCリンクキャパシタモニタリングの実験検証 Experimental verification of dc-link-capacitor monitoring in an inverter system with AC reactors 論文No: EDD22037,SPC22177 ページ数: 6 日付: 2022/11/28 著者: 廣瀬 優斗(九州工業大学),長谷川 一徳(九州工業大学) キーワード : ＤＣリンクキャパシタ|ＡＣリアクトル|インバータ|６パルスダイオード整流器|コンディションモニタリング|dc-link capacitor|AC reactor|inverter|six-pulse diode rectifier|condition monitoring 本論文は、交流リアクトルを有するインバータシステムにおいて、追加で電流センサを必要としないモニタリングの手法を提案する。ダイオード整流器からDCリンクキャパシタに流入する電流を解析し、電源電圧と交流リアクトルから一意的に ... more サイズ:A4 掲載ページ: 37-42 本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 7.パワーモジュールに適用する絶縁用セラミックスの過渡熱抵抗に関する実験的検討 An Experimental Study on Transient Thermal Resistance of Insulating Ceramics for Power Modules 論文No: EDD22039,SPC22179 ページ数: 6 日付: 2022/11/28 著者: 清水 優人(大阪大学),福永 崇平(大阪大学),舟木 剛(大阪大学) キーワード : パワーモジュール|過渡熱抵抗|絶縁用セラミックス|接触熱抵抗|power module|transient thermal resistance|insulating ceramics|contact thermal resistance マルチレベル方式を用いることで、数kVを越える高電圧の電力変換回路を、低耐圧のパワーデバイスの直列接続によって容易に実現できる。しかし、適用するパワーデバイスのパッケージは、電圧分担された端子間電圧だけではなく、対地電圧 ... more サイズ:A4 掲載ページ: 43-48 本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 8.大容量向けパワーモジュールにおける導体形状による電流バランス改善 Current Balance Improvement by Conductor Shaping in Power Modules for High Power Applications 論文No: EDD22040,SPC22180 ページ数: 6 日付: 2022/11/28 著者: 田代 匠太(東芝インフラシステムズ株式会社),市倉 優太(東芝インフラシステムズ株式会社),瀧本 和靖(東芝インフラシステムズ株式会社),石黒 崇裕(東芝エネルギーシステムズ株式会社) キーワード : 電流バランス|並列接続|パワーモジュール|寄生インダクタンス|current balance|parallel connection|power module|parasitic inductance 本報告は、大容量向けパワーモジュールの電流アンバランス低減方法を提案する。パワーモジュールの複数の導電経路を均一化するような上面導体の形状を提案する。提案した上面導体を用いたパワーモジュールは、並列接続された半導体チップ ... more サイズ:A4 掲載ページ: 49-54 本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 9.GaNデバイスを適用したMHz駆動インバータの主回路損失解析 Loss Analysis of Inverter Circuit using GaN devices in Megahertz Operation 論文No: EDD22041,SPC22181 ページ数: 6 日付: 2022/11/28 著者: 山口 正通(長岡技術科学大学),日下 佳祐(長岡技術科学大学),伊東 淳一(長岡技術科学大学) キーワード : 高周波インバータ|カロリー法|ＧａＮデバイス|High frequency inverter|Calorimetric power loss measurement|GaN device 近年，MHz帯を適用したWPTシステムが注目されている。MHz帯WPTシステムではGaNデバイスが広く用いられるが，放熱用サーマルパッドが小さいため回路の放熱設計が重要となる。放熱設計にあたっては損失量の正確な評価が必要 ... more サイズ:A4 掲載ページ: 55-60 本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 10.窒化物半導体の光電気化学エッチングと電子デバイス応用 Photo-electrochemical Etching of Nitride Semiconductors and Electron Device Applications 論文No: EDD22042,SPC22182 ページ数: 4 日付: 2022/11/28 著者: 佐藤 威友(北海道大学) キーワード : 窒化物半導体|ウェットエッチング|光電気化学反応|電子デバイス|Nitride semiconductors|Wet etching|Photoelectrochemical reactions|Electron devices 窒化物半導体のウェットエッチングと電子デバイス応用について、著者らの取り組みを中心に紹介します。光電気化学（PEC）反応を用いることにより、加工損傷を与えることなくGaN系材料のウェットエッチングが可能です。PECエッチ ... more サイズ:A4 掲載ページ: 61-64 本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 11.正孔はどのように移動するのか? How do Holes move? 論文No: EDD22043,SPC22183 ページ数: 10 日付: 2022/11/28 著者: 高田 育紀(所属なし) キーワード : 正孔モデル，　|自由電子モデル，　|電荷担体の移動形態，　|有効質量のモデル，　|物質波が伴う作用量，　|特殊相対性理論．|model of holes, |model of free electrons, |forms of charge carrier transfer, |model of effective mass, |action quantities with matter waves, |application of special relativity to electron orbit 半導体デバイスにおいて、正孔は、電荷極性が逆である以外は、ほぼ自由電子と同等に振る舞うことが良く知られている。そして、正孔は、半導体結晶を構成する共有結合網から電子が1ヶ欠落した箇所であって、半導体に電界が加わると、この ... more サイズ:A4 掲載ページ: 65-74 本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 12.局所ライフタイムキラー制御によるフィールドプレート（FP）MOSFETの逆回復電荷と漏れ電流のトレードオフ改善 Demonstration of the field plate power MOSFETs with local life-time killer for improvement of Qrr-IDSS trade-off 論文No: EDD22044,SPC22184 ページ数: 6 日付: 2022/11/28 著者: 小林 勇介(東芝),西脇 達也(東芝デバイス＆ストレージ　),可知 剛(東芝デバイス＆ストレージ),下條 亮平(東芝デバイス＆ストレージ),雁木 比呂(東芝),馬場 祥太郎(東芝),福田 大地(東芝),井口 智明(東芝),高尾 和人(東芝) キーワード : パワーＭＯＳＦＥＴ|フィールドプレート|局所ライフタイム制御|逆回復電荷|プロトン|漏れ電流|Power MOSFET|Field Plate|Local lifetime control|Reverse recovery charge|Proton|Leakage current 縦型フィールドプレート（FP）MOSFETの逆回復電荷と漏れ電流のトレードオフ改善にはカソードに局所ライフタイム制御することが有効である。本研究ではプロトン照射により局所ライフタイム制御したFP-MOSFETを試作し ... more サイズ:A4 掲載ページ: 75-80 本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 13.デジタルゲートドライバー用パワーモジュールの設計検証 Study on power module design for digital gate driver circuit 論文No: EDD22045,SPC22185 ページ数: 6 日付: 2022/11/28 著者: LOU ZAIQI(九州大学),Mamee Thatree(九州大学),畑 勝裕(東京大学),高宮 真(東京大学),西澤 伸一(九州大学),齋藤 渉(九州大学) キーワード : ＩＧＢＴ　モジュール|ゲートインダクタンス|デジタルゲートドライバー|スイッチング損失|ノイズ|ゲートスパイク電圧|IGBT module|gate inductance|digital gate driver|switching loss|noise|gate voltage spike デジタルゲートドライバーを使い、ゲートインダクタンスが異なる3 つのIGBTモジュールに対して、ダブルパルススイッチング試験を行った。スイッチング損失とノイズのトレードオフ関係に対するゲートインダクタンスの影響を示す。ま ... more サイズ:A4 掲載ページ: 81-86 本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 14.非対称な三相変圧器を用いたCurrent-fed Dual Active Bridgeコンバータ Current-fed Dual Active Bridge Converter with Asymmetric Three-phase Transformer 論文No: EDD22046,SPC22186 ページ数: 6 日付: 2022/11/28 著者: 陳 一宇(東京理科大学),太田 涼介(東京理科大学),星 伸一(東京理科大学) キーワード : ＤＡＢコンバータ|非対称三相変圧器|絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ|ゼロ電圧スイッチング|dual active bridge conberter|asymmetric three-phase transformer|isolated DC-DC converter|zero voltage switching 本論文では，高効率動作範囲の拡大を目的に入出力電圧比と負荷に応じて通電する変圧器を切り替える非対称な三相変圧器を用いたCurrent-fed Dual Active Bridge コンバータを提案する。提案するコンバータ ... more サイズ:A4 掲載ページ: 87-92 本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 15.幅広い入力電圧に対応可能な直並列切替型フライバックコンバータ Fly-back Converter with Series and Parallel connection for Wide Range Input Voltage 論文No: EDD22047,SPC22187 ページ数: 5 日付: 2022/11/28 著者: 河合 勇貴(長岡技術科学大学),菊地 尚斗(長岡技術科学大学),渡辺 大貴(長岡技術科学大学),伊東 淳一(長岡技術科学大学) キーワード : フライバックコンバータ|高調波抑制|ワールドワイド入力|ＺＶＳ|三角波電流モード|Fly-back Converter|Harmonics Suppression|World Wide Input|Zero Voltage Switching|Triangular current mode 近年，幅広い商用電源に対応可能なAC/DC変換器が求められている。広い入力電圧範囲に対応するために，耐電圧や耐電流の観点から電力変換器のパワー密度が低下する。本論文では，2台のフライバックコンバータを使用し入力電圧範囲に ... more サイズ:A4 掲載ページ: 93-97 本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 16.電流三角波モードを適用したフライングキャパシタ形Current-Fed DABコンバータの動作領域拡大法 Expansion Method of Operating Area for Flying Capacitor Type Current-Fed DAB Converter using Triangular Current Mode 論文No: EDD22048,SPC22188 ページ数: 6 日付: 2022/11/28 著者: 大野 貴志(長岡技術科学大学),渡辺 大貴(長岡技術科学大学),伊東 淳一(長岡技術科学大学) キーワード : デュアルアクティブブリッジコンバータ|Ｃｕｒｒｅｎｔ−Ｆｅｄ　ＤＡＢコンバータ|電流三角波モード|フライングキャパシタ|ゼロ電圧スイッチング|Dual Active Bridge converter|Current-Fed DAB converter|Triangular Current Mode|Flying Capacitor|Zero Voltage Switching 高圧直流配電システムに用いるDC-DCコンバータには広い電圧範囲での高効率駆動が要求されている。本研究では，Current-Fed DABコンバータにフライングキャパシタを適用し高耐圧化を行い，昇圧チョッパをTCM駆動す ... more サイズ:A4 掲載ページ: 99-104 本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 17.複数巻線を用いたMRM用高磁束発生回路 High magnetic flux driving circuit for MRM 論文No: EDD22049,SPC22189 ページ数: 5 日付: 2022/11/28 著者: 花田 哲郎(九州工業大学),和田 圭二(東京都立大学),高宮 真(東京大学),赤津 観(横浜国立大学),大村 一郎(九州工業大学) キーワード : 磁化反転モータ|高磁束発生回路|固定子|ＩＧＢＴ|フルブリッジ回路|電流均一化|Magnet reversal motor|High magnetic flux driving circuit|Stator|IGBT|Hull-bridge circuit|Current uniformity 現在研究が進められている磁化反転モータでは、短時間に高磁束パルスを発生させる独特な駆動方式が必要だが、駆動電圧が高くなることが課題であった。本研究では、低い駆動電圧で高磁束パルスを発生するためにステータの巻き線を４分割し ... more サイズ:A4 掲載ページ: 105-109 本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 18.380 V直流給電システムのための電界結合方式を適用した高パワー密度DCPETの開発 Highly efficient and ultra-compact capacitively coupled DC/DC Power Electronic Transformer (DCPET) for 380 V dc power supply system 論文No: EDD22050,SPC22190 ページ数: 6 日付: 2022/11/28 著者: 有田 圭吾(東芝),林 祐輔(東芝),高尾 和人(東芝) キーワード : 直流給電|ＤＣ／ＤＣコンバータ|電界結合|ＰＥＴ　（Ｐｏｗｅｒ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｔｒａｎｓｆｏｒｍｅｒ）|DC power supply|DC/DC converter|Capacitively coupling|PET (Power Electronic Transformer) 380 V直流給電システムに用いられる絶縁DC/DCコンバータの小型・高効率化を目的として電界結合を用いたDCPET（直流用パワエレ変圧器）を提案する。提案する電界結合PETは，一般的な絶縁コンバータの損失・体積要因であ ... more サイズ:A4 掲載ページ: 111-116 本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 19.過電圧パルス印加によるSiC MOSFETの高速スイッチング手法の提案と実測評価 A Fast Gate Driving Method with an Overvoltage Pulse for SiC MOSFETs 論文No: EDD22051,SPC22191 ページ数: 6 日付: 2022/11/28 著者: 野池 峻平(京都工芸繊維大学),古田 潤(京都工芸繊維大学),小林 和淑(京都工芸繊維大学) キーワード : ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴ|高速スイッチング|スイッチング損失|Ｇａｔｅ−Ｂｏｏｓｔｉｎｇ|オーバーシュート|リンギング|SiC MOSFET|fast switching|switching loss|gate-boosting|overshoot|ringing SiC MOSFETなどの高速動作デバイスは従来のデバイスよりも低損失なスイッチングが可能であるが、スイッチング時にオーバーシュートやリンギングが顕著に現れる。SiC MOSFETによる電力変換回路の高効率化には、デバイ ... more サイズ:A4 掲載ページ: 1-6 本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 20.並列トランスまたは抵抗器などの受動素子を用いたアクティブゲートドライバの実験検討 Experimental verification of an Active Gate Drive Circuit Using a Parallel Connected Transformer or Resistors 論文No: EDD22052,SPC22192 ページ数: 6 日付: 2022/11/28 著者: 野下 裕市(九州大学),庄山 正仁(九州大学) キーワード : ゲート駆動回路|サージ抑制|スイッチング損失低減|gate drive circuit|surge suppression|switching loss reduction SiC-MOSFETを駆動するゲートドライバについて，ソース電流の変化率を制御することでスイッチング性能を向上させるアクティブゲートドライバがある。従来は半導体アンプによって実現されていたが，消費電力とコストの課題が大き ... more サイズ:A4 掲載ページ: 7-12 本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 21.データセットを用いた電力変換回路用パワーデバイス選定手法とその評価 Selection of power devices for power conversion circuit using data sets and their evaluation. 論文No: EDD22053,SPC22193 ページ数: 6 日付: 2022/11/28 著者: 赤崎 勇生(東京都立大学),和田 圭二(東京都立大学) キーワード : パワーデバイス|インバータ|スイッチング損失|Power devices|Inverter|Switching loss パワーデバイスの材料としてSiが使われてきたが，近年ではSiCやGaNを使用したものも市販されている。そこで，電力変換回路において数多くのデバイスの中から，適切なものを選択することが要求される。本研究では，メーカーの提供 ... more サイズ:A4 掲載ページ: 13-18 本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 22.コモンエミッタIGBTモジュールを用いた三相双方向パルス電流発生回路の動作検証 Three Phase Bipolar Pulse Current Generator Circuit using Common Emitter IGBT Modules 論文No: EDD22054,SPC22194 ページ数: 6 日付: 2022/11/28 著者: 山下 滉明(東京都立大学),和田 圭二(東京都立大学),高宮 真(東京大学),大村 一郎(九州工業大学),赤津 観(横浜国立大学) キーワード : 磁化反転モータ|パルス電流発生回路|ＩＧＢＴモジュール|永久磁石同期モータ|Magnetization Reversal Motor|Pulse current generator circuit|IGBT module|Permanent Magnet Synchronous Motor 銅損を大幅に削減できるモータとして，磁化反転モータ(MRM)が提案されている。MRMはIPMSMの固定子を永久磁石に置換した構造であり，この永久磁石をパルス電流によって磁化反転させることによってトルクを発生させる。本研究 ... more サイズ:A4 掲載ページ: 19-24 本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 23.IGBTターンオフ時の損失―ノイズトレードオフ改善設計 Improvement design for loss-noise trade-off of IGBT turn-off switching 論文No: EDD22055,SPC22195 ページ数: 6 日付: 2022/11/28 著者: 藤本 侑里(九州大学),齋藤 渉(九州大学),西澤 伸一(九州大学) キーワード : ＩＧＢＴ|ターンオフ損失|オン電圧|サージ電圧|IGBT|turn-off loss| on-voltage|surge-voltage IGBTの表面構造及び裏面構造を変更させることで、ターンオフ損失とノイズ（サージ電圧）のトレードオフ関係を改善させる設計の方向性を検討した。産業用モータや電気自動車などに用いられる1200V系のIGBTをモチーフとし、T ... more サイズ:A4 掲載ページ: 25-30 本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 24.ＩＧＢＴにおける電流フィラメントの移動に関するＴＣＡＤでの調査 TCAD investigation of current filament movement in IGBTs 論文No: EDD22056,SPC22196 ページ数: 6 日付: 2022/11/28 著者: 諏訪 剛史(東芝デバイス＆ストレージ) キーワード : ＩＧＢＴ|信頼性|電流フィラメント|ＴＣＡＤ|インパクトイオン化モデル|自己発熱|IGBT|reliability|current filament|TCAD|Impact ionization model|self-heating IGBTの信頼性設計では、ダイナミックアバランシェ時の電流フィラメントの制御が肝要である。今回、電流フィラメントが動き回る条件下で、インパクトイオン化係数の温度依存性と裏面のホール注入の空間的な変化に関して、電流フィラメ ... more サイズ:A4 掲載ページ: 31-36 本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 25.高負荷短絡耐性向けIGBTのターンオン動作における強い3次元性について Strong 3-dimensional behavior during turn-on switching of IGBTs designed for high short-circuit capability 論文No: EDD22057,SPC22197 ページ数: 6 日付: 2022/11/28 著者: 永久 克己(ルネサスエレクトロニクス),松浦 仁(ルネサスエレクトロニクス) キーワード : ＩＧＢＴ|ターンオン|電圧テール|三次元|ＴＣＡＤ|IGBT|turn-on|voltage tail|3D|TCAD 高負荷短絡耐量設計を施したIGBTにおいてターンオンスイッチング時に観測される電圧テール現象について3D TCADを用いて詳細解析し、複雑かつ3次元的なキャリア輸送の挙動がその原因であることを明らかにした。さらに、ソース ... more サイズ:A4 掲載ページ: 37-42 本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 26.IGBTのターンオンdV/dtの解析手法 Analysis method on turn-on dV/dt of IGBTs 論文No: EDD22058,SPC22198 ページ数: 6 日付: 2022/11/28 著者: 伊倉 巧裕(富士電機),中川 明夫(中川コンサルティング事務所) キーワード : ＩＧＢＴ|ターンオン|ｄＶ／ｄｔ|ＴＣＡＤ|IGBT|turn on|dV/dt|TCAD ダミートレンチを備えたIGBTのターンオン時にコレクタ電圧のdV/dtが低くなる現象であるターンオン電圧テールの発生メカニズムについて新たに開発した手法を用いて解析した結果を詳細に報告する。コレクタ電圧の低下し始めでは、 ... more サイズ:A4 掲載ページ: 43-48 本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 27.スプリットダミーアクティブCSTBTによるリカバリーdV/dt-ターンオン損失トレードの改善 Split-Dummy-Active CSTBT for improving Recovery dV/dt and Turn-on Switching Loss trade-off 論文No: EDD22059,SPC22199 ページ数: 4 日付: 2022/11/28 著者: 小西 和也(三菱電機),西 康一(三菱電機),迫 紘平(三菱電機),古川 彰彦(三菱電機) キーワード : ＩＧＢＴ|ＣＳＴＢＴ|ゲート容量|スプリットゲート|リカバリーｄＶ／ｄｔ|ターンオン損失|IGBT|CSTBT|Gate capacitance|Split-gate|Recovery dV/dt|Turn-on switching loss リカバリーdV/dtとEonのトレードオフを改善するため, トレンチ内部の電極を2段に分割し, 上段の電極をエミッタ電位に, 下段の電極をゲート電位にしたスプリットダミーアクティブ構造を開発した。本構造により, リカバリ ... more サイズ:A4 掲載ページ: 49-52 本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 28.新規コレクタ・ゲート制御方式の適用による横型IGBTのオン電圧及びターンオフ損失低減 Reduction of on-state voltage drop and turn-off energy loss of lateral IGBT by newly introduced collector-gate control method 論文No: EDD22060,SPC22200 ページ数: 4 日付: 2022/11/28 著者: 谷 和樹(日立製作所),原 賢志(日立製作所),古川 智康(日立製作所),桜井 健司(日立パワーデバイス),内海 智之(日立パワーデバイス) キーワード : 横型ＩＧＢＴ|マルチゲート制御|動的キャリア制御|Lateral IGBT|multiple gates|dynamic carrier control 横型IGBTの更なる性能向上に向けて、コレクタ・ゲート制御横型IGBT(CG-LIGBT)を提案した。CG-LIGBTはコレクタ・ゲートで制御されるN-MOSFET構造をコレクタ部に有する特徴を持つ。導通時はコレクタ部の ... more サイズ:A4 掲載ページ: 53-56 本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 29.ホール制御型ゲートを有する4.5 kVダブルゲートRC-IEGT 4.5 kV Double-gate RC-IEGT with Hole Control Gate 論文No: EDD22061,SPC22201 ページ数: 6 日付: 2022/11/28 著者: 加藤 貴大(東芝　),下條 亮平(東芝デバイス&ストレージ),坂野 竜則(東芝　),川上 陽代(東芝デバイス&ストレージ),早瀬 茂昭(東芝デバイス&ストレージ),井口 智明(東芝　),高尾 和人(東芝　) キーワード : 逆導通電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタ|ダブルゲート|ホール制御型ゲート|RC-IEGT|Double-gate|Hole control gate 大容量電力変換器の性能向上のため高耐圧パワーデバイスの低損失化が求められている。本研究では、ホール制御型ゲート(H-CG)を有するダブルゲート構造の逆導通電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタ(RC-IEGT)に対し、ター ... more サイズ:A4 掲載ページ: 57-62 本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 30.低オン電圧と低スイッチング損失を両立する3.3kV両面ゲートIGBT（BC-IGBT）の性能向上への取り組み Superior Eoff - Vcesat Trade-off of 5V-Gate-Driven 3.3kV Back-gate-Controlled IGBTs (BC-IGBTs) 論文No: EDD22062,SPC22202 ページ数: 5 日付: 2022/11/28 著者: 更屋 拓哉(東京大学),伊藤 一夫(東京大学),高倉 俊彦(東京大学),福井 宗利(東京大学),鈴木 慎一(東京大学),竹内 潔(東京大学),平本 俊郎(東京大学) キーワード : 絶縁ゲートバイポランジスタ|両面ゲート|両面リソグラフィ|スケーリング|ＩＥ効果|IGBT|Double Gate|Double Side Lithography|Scaling|Injection Enhancement 両面ダブルゲートIGBT（BC-IGBT）の構造最適化により、ターンオフ損失とオン電圧トレードオフの大幅な改善を実現した。表面側構造としてトレンチ突き出しを、裏面構造としてpコレクタ濃度を変更し、ターンオフ損失の増加を抑 ... more サイズ:A4 掲載ページ: 63-67 本誌: 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 対象：PDF 表示件数： 10 30 50 形式： 詳細 簡潔 発行日(昇順) 発行日(降順) タイトル(昇順) タイトル(降順) HOMEに戻る Reference : 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会、発行日（降順） 検索結果 全332 件 Page: [1][2][3][4][5]･･･[12]

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