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1.二段階のRandom Forestを用いた血中循環がん細胞の検出
Detection of Circulating Tumor Cells in Blood Using Two-Step Random Forest
論文No: ページ数: 6 日付: 2024/03/01
著者: 魏 樺(東京理科大学 先進工学部),名取 隆廣(東海大学 文理融合学部 人間情報工学科),田中 智博(岡山大学 学術研究院 医歯薬学域),青木 伸(東京理科大学 薬学部),栗山 翔(日本医科大学 消化器外科),山田 岳史(日本医科大学 消化器外科),相川 直幸(東京理科大学 先進工学部)
キーワード : 血中循環がん細胞,自動検出,二段階分類,機械学習,形状特徴量,表面特徴量  CTCs,auto detection,two-step classification,machine learning,shape feature,surface feature
Cancer has been the leading cause of death among Japanese since 1981, and many people die from it every year worldwide. While various measures have been taken to reduce the mortality rate of cancer, circulating tumor cel ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 121-126
本誌: 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) Vol.144 No.3 (2024) 特集T:スマートシステムと計測・制御技術 特集U:シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術
会員価格(税込)¥550 一般価格(税込)¥770
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2.マイクロ波プラズマCVD装置におけるFRITを用いたプラズマ発光強度比制御系の一設計
A Design of Plasma Emission Intensity Ratio Control System for a Microwave Plasma CVD Process Using FRIT
論文No: ページ数: 6 日付: 2024/03/01
著者: 川口 夏樹(兵庫県立大学大学院),中田 和磨(兵庫県立大学工学部),大西 亮多(兵庫県立大学工学部),田中 一平(兵庫県立大学大学院)
キーワード : FRIT,プラズマCVD,プラズマ発光強度比制御,PI制御  FRIT,plasma CVD,plasma emission intensity ratio control,PI control
We propose a method of designing a FRIT(Fictious Reference Iterative Tuning)-based control system for a microwave plasma CVD(Chemical Vapor Deposition) apparatus used in the preparation of diamond thin films. Specificall ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 127-132
本誌: 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) Vol.144 No.3 (2024) 特集T:スマートシステムと計測・制御技術 特集U:シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術
会員価格(税込)¥550 一般価格(税込)¥770
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3.加熱処理装置のための汎用均一温度制御技術
General-purpose Uniform Temperature Control for Heating Process System
論文No: ページ数: 7 日付: 2024/03/01
著者: 田中 雅人(アズビル(株))
キーワード : PID制御,均一温度,サプライチェーン  PID control,uniform temperature,supply chain
In this paper, general-purpose uniform temperature control for heating process systems is described. The uniform temperature control function should be implemented to a local PID temperature controller. The controller is ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 133-139
本誌: 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) Vol.144 No.3 (2024) 特集T:スマートシステムと計測・制御技術 特集U:シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術
会員価格(税込)¥550 一般価格(税込)¥770
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4.自己修復PID制御の性能を改善する補助信号の設計
Design of Auxiliary Signals to Improve Performance of Self-repairing PID Control
論文No: ページ数: 8 日付: 2024/03/01
著者: 松木 俊貴(防衛大学校),犬童 大成(新電元工業(株)),和田 悠人(荏原フィールドテック),原 正佳(大分大学),高橋 将徳(大分大学)
キーワード : 自己修復PID制御,センサ故障,能動的耐故障制御,能動的故障検知  self-repairing control,sensor failures,active fault-tolerant control,active fault detection
Self-repairing PID control has been proposed as an active fault-tolerant control system that tolerates component malfunctions, maintaining desired performance. In this method, an auxiliary signal with the same sign as th ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 140-147
本誌: 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) Vol.144 No.3 (2024) 特集T:スマートシステムと計測・制御技術 特集U:シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術
会員価格(税込)¥550 一般価格(税込)¥770
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5.ニューラルネットワークを用いた非線形系に対する適応出力フィードバック制御系設計
Adaptive Output Feedback Control System Design for Nonlinear Systems via Neural Networks
論文No: ページ数: 8 日付: 2024/03/01
著者: リ チャオ(熊本大学大学院自然科学教育部),大財 望夢(熊本大学大学院自然科学教育部),加藤 望(熊本大学大学院自然科学教育部),水本 郁朗(熊本大学大学院先端科学研究部)
キーワード : 出力フィードバック指数受動,ニューラルネットワーク,外乱補償,適応出力フィードバック制御,並列フィードフォワード補償器,2自由度制御  output feedback exponential passivity,neural network,disturbance compensation,adaptive output feedback control,parallel feedforward compensator,two degree of freedom control
Adaptive output feedback control based on output feedback exponential passivity (OFEP) has a simple structure and strong robustness in regard to disturbances and system uncertainties. However, it is difficult for most no ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 148-155
本誌: 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) Vol.144 No.3 (2024) 特集T:スマートシステムと計測・制御技術 特集U:シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術
会員価格(税込)¥550 一般価格(税込)¥770
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6.小学校におけるSTEAM教育を用いた問題解決の素養を育む教材の開発
Development of Learning Materials to Foster Problem-Solving Skills Using STEAM Education in Elementary Schools
論文No: ページ数: 6 日付: 2024/03/01
著者: 村井 啓太(高島市立新旭北小学校),川田 和男(広島大学大学院教育学研究科)
キーワード : STEAM教育,計測・制御,小学校,プログラミング教育,キネティックアート  STEAM education,measure and control,elementary school,programming education,kinetic art
With the arrival of the Society 5.0 era, STEAM education is attracting attention, and the Sixth Science, Technology, and Innovation Basic Plan (2021) includes STEAM education for the first time as a science and technolog ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 156-161
本誌: 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) Vol.144 No.3 (2024) 特集T:スマートシステムと計測・制御技術 特集U:シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術
会員価格(税込)¥550 一般価格(税込)¥770
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7.高等学校情報科におけるモデルベース開発(MBD)的思考の素養を育む授業の実践と評価
Practice and Evaluation of Lessons to Nurture Model-Based Development (MBD) Thinking in High School Information Education
論文No: ページ数: 7 日付: 2024/03/01
著者: 諏澤 侑汰(広島大学大学院人間社会科学研究科),橋 元龍(広島大学大学院人間社会科学研究科),村井 啓太(高島市立新旭北小学校),川田 和男(広島大学大学院人間社会科学研究科),脇谷 伸(広島大学大学院先進理工系科学研究科),山本 透(広島大学大学院先進理工系科学研究科),森重 智年(マツダ(株)/広島大学デジタルものづくり教育研究センター)
キーワード : モデルベース開発(MBD)的思考,高等学校,情報教育,計測・制御,シミュレーション  model-based development (MBD) thinking,high school,information education,measurement and control,simulation
In order to realize the "Society 5.0" proposed by the Cabinet Office, human resource development to create new value is attracting attention. In addition, the industrial world is promoting "model-based development (MBD), ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 162-168
本誌: 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) Vol.144 No.3 (2024) 特集T:スマートシステムと計測・制御技術 特集U:シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術
会員価格(税込)¥550 一般価格(税込)¥770
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8.GAで学習するニューロ制御器によるAUVの適応制御シミュレーション
Adaptive Control Simulation of AUV Using Neural Controllers Trained by GA
論文No: ページ数: 10 日付: 2024/03/01
著者: 金城 寛(琉球大学工学部),中園 邦彦(琉球大学工学部),上里 英輔(琉球大学工学部),大城 尚紀(琉球大学工学部)
キーワード : 適応制御,自律型海中ロボット,ニューロ制御,遺伝的アルゴリズム  adaptive control,AUV,neuro-controller,genetic algorithm
In this research, we propose a method to adaptively generate AUV trajectories using a neural controller that learns by applying a genetic algorithm. The method uses two neuro-controllers. One is learned in advance as a c ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 169-178
本誌: 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) Vol.144 No.3 (2024) 特集T:スマートシステムと計測・制御技術 特集U:シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術
会員価格(税込)¥550 一般価格(税込)¥770
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9.事象駆動型分散最適化による洋上風車ブレードピッチ角制御
Offshore Wind Turbine Blade Pitch Angles Control Using Event-driven Distributed Optimization
論文No: ページ数: 2 日付: 2024/03/01
著者: 佐藤 佳奈美(兵庫県立大学大学院工学研究科),川口 夏樹(兵庫県立大学大学院工学研究科),林 直樹(大阪大学大学院基礎工学研究科),原 尚之(大阪公立大学大学院工学研究科),佐藤 孝雄(兵庫県立大学大学院工学研究科)
キーワード : 浮体式洋上風力発電機,分散最適化,ブレードピッチ角制御,事象駆動型通信  floating offshore wind turbine,distributed optimization,blade pitch angle control,event-triggered communication
The present study proposes a design methodology for blade pitch angle control of offshore wind turbines. A wind farm is formulated as a multi-agent system, and an event-driven distributed control system is designed to re ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 179-180
本誌: 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) Vol.144 No.3 (2024) 特集T:スマートシステムと計測・制御技術 特集U:シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術
会員価格(税込)¥330 一般価格(税込)¥550
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10.ヒルベルト変換器を用いた船上での液体重量計測法
Liquid Weighing Method on Ships Using a Hilbert Transformer
論文No: ページ数: 2 日付: 2024/03/01
著者: 小原 純(東京理科大学先進工学部),相川 直幸(東京理科大学先進工学部)
キーワード : ヒルベルト変換,可変FIRフィルタ,瞬時位相,瞬時振幅  Hilbert transformer,variable FIR filter,instantaneous phase,instantaneous amplitude
In general, it is known that highly accurate weight measurement is not possible when the measuring instrument or the object to be measured is shaking. The weight is a DC component, and the AC component is noise. Hilbert ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 181-182
本誌: 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) Vol.144 No.3 (2024) 特集T:スマートシステムと計測・制御技術 特集U:シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術
会員価格(税込)¥330 一般価格(税込)¥550
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11.測域センサを用いた机間指導計測システムの試作
Prototype of Check the Class Individually by Making Our Rounds in the Classroom Trajectory Measurement System Using Laser Range Sensor
論文No: ページ数: 2 日付: 2024/03/01
著者: 池上 毅(東京学芸大学),今井 慎一(東京学芸大学)
キーワード : 机間指導,計測,測域センサ,センシング,授業  check the class individually by making our rounds,measurement,laser range sensor,sensing,class
In order to analyze check the class individually by making our rounds in the classroom quantitatively, it is necessary to develop a system that replaces the existing analysis method of visual video recording. The purpose ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 183-184
本誌: 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) Vol.144 No.3 (2024) 特集T:スマートシステムと計測・制御技術 特集U:シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術
会員価格(税込)¥330 一般価格(税込)¥550
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12.「シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術」――特集号によせて――
Preface to the Special Issue on “The latest silicon and wide bandgap power semiconductor technologies”
論文No: ページ数: 1 日付: 2024/03/01
著者: 白石 正樹((株)日立パワーデバイス)
キーワード :
サイズ:A4 掲載ページ: 185-185
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13.パワー半導体デバイスの最新動向
Latest Technology Trends in Power Semiconductor Devices
論文No: ページ数: 7 日付: 2024/03/01
著者: 吉野 学(三菱電機(株)),竹内 悠次郎((株)日立製作所),大井 幸多(富士電機(株)),中島 昭(国立研究開発法人産業技術総合研究所)
キーワード : ゲートドライバ,パワーMOSFET,IGBT,ワイドバンドギャップ半導体,SiC,GaN  gate driver,power MOSFET,IGBT,wide band gap semiconductor,SiC,GaN
Efforts to achieve carbon neutrality are accelerating in order to solve global warming, a worldwide environmental problem. Efficient use of electric energy requires improved performance, higher functionality, and higher ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 186-192
本誌: 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) Vol.144 No.3 (2024) 特集T:スマートシステムと計測・制御技術 特集U:シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術
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14.ダイヤモンド半導体デバイス開発と最近の進展
Development and Recent Progress on Diamond Semiconductor Devices
論文No: ページ数: 5 日付: 2024/03/01
著者: 牧野 俊晴(産業技術総合研究所)
キーワード : ダイヤモンド,ホッピング伝導,ショットキーpnダイオード,MOSFET  diamond,hopping conduction,Schottky-pn diode,MOSFET
Diamond has excellent physical properties as high breakdown electric field, high thermal conductivity, and high bulk carrier mobility. From these points of view, diamond is expected as an appropriate material which can b ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 193-197
本誌: 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) Vol.144 No.3 (2024) 特集T:スマートシステムと計測・制御技術 特集U:シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術
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15.IGBTターンオフスイッチングにおけるサージ電圧解析
Analysis of Surge Voltage during Turn-Off Switching of IGBTs
論文No: ページ数: 6 日付: 2024/03/01
著者: 藤本 侑里(九州大学 応用力学研究所),西澤 伸一(九州大学 応用力学研究所),齋藤 渉(九州大学 応用力学研究所)
キーワード : IGBT,パワーデバイス  IGBT,power devices
Surge voltage at IGBT turn-off switching was analyzed with dependence on cell design parameters. Although drift layer thinning is effective to improve trade-off characteristics between turn-off loss Eoff and on-state vol ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 198-203
本誌: 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) Vol.144 No.3 (2024) 特集T:スマートシステムと計測・制御技術 特集U:シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術
会員価格(税込)¥550 一般価格(税込)¥770
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16.電気-熱-応力連成シミュレーション技術を用いたSiC MOSFET負荷短絡破壊メカニズム解析法
Methodology of Failure Mode Analysis in Short-Circuit State of SiC MOSFETs by Electro-Thermal-Mechanical TCAD Simulations
論文No: ページ数: 8 日付: 2024/03/01
著者: 姚 凱倫(筑波大学大学院 数理物質科学研究群),岩室 憲幸(筑波大学大学院 数理物質科学研究群)
キーワード : 層間絶縁膜,機械応力,SiC MOSFET,負荷短絡,TCADシミュレーション  dielectric failure,mechanical stress,SiC MOSFETs,short-circuit,TCAD simulation
The mechanical short-circuit failure mode of 1.2 kV class SiC MOSFETs was investigated by experiment and electro-thermal-mechanical technology computer-aided design (TCAD) simulation. In this work, the details of the sim ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 204-211
本誌: 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) Vol.144 No.3 (2024) 特集T:スマートシステムと計測・制御技術 特集U:シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術
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17.マルチゲート制御によるIGBTの低損失化
Switching Loss Reduction in IGBTs by Multi-gate Control
論文No: ページ数: 5 日付: 2024/03/01
著者: 下條 亮平(東芝デバイス&ストレージ(株)),坂野 竜則((株)東芝 研究開発センター),岩鍜治 陽子(東芝デバイス&ストレージ(株))
キーワード : IGBT,RC-IGBT,マルチゲート,スイッチング損失  IGBT,reveres-conducting IGBT,multi-gate,switching loss
Insulated gate bipolar transistors (IGBTs) are now widely used in a variety of products ranging from home appliances to power conversion equipment. This paper introduces multi-gate control techniques for IGBTs with the a ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 212-216
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18.完全分離型nLDMOSの負入力耐性の素子サイズおよび分離n型層電圧依存性
Impact of the Device Size and N-type Isolation Layer Voltage on the Negative Input Withstand Capability of Fully Isolated nLDMOS
論文No: ページ数: 4 日付: 2024/03/01
著者: 酒井 敦(ルネサスエレクトロニクス(株)),永久 克己(ルネサスエレクトロニクス(株)),後藤 洋太郎(ルネサスエレクトロニクス(株)),佃 栄次(ルネサスエレクトロニクス(株)),緒方 完(ルネサスエレクトロニクス(株))
キーワード : 完全分離型nLDMOS,ドレイン負入力耐性,寄生NPN / PNPトランジスタ,分離n型層  fully isolated nLDMOS,drain negative input withstand capability,parasitic NPN / PNP transistor,n-type isolation layer
This paper presents the negative drain input measurements of fully isolated nLDMOS which is fabricated by a low-cost process without any additional epitaxial growth. The critical drain current which causes the parasitic ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 217-220
本誌: 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) Vol.144 No.3 (2024) 特集T:スマートシステムと計測・制御技術 特集U:シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術
会員価格(税込)¥550 一般価格(税込)¥770
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19.蓄積電荷を時空制御した高電導IGBT (TASC HiGT)
High-conductivity IGBT with Time and Space Control of Stored Carrier (TASC HiGT)
論文No: ページ数: 7 日付: 2024/03/01
著者: 三好 智之(日立製作所 研究開発グループ),鈴木 弘(日立製作所 研究開発グループ),平尾 高志(日立製作所 研究開発グループ),高田 裕亮(日立製作所 研究開発グループ),古川 智康(日立製作所 研究開発グループ),森 睦宏(日立製作所 鉄道ビジネスユニット)
キーワード : IGBT,デュアルゲート,HiGT,蓄積電荷の時空間制御 (TASC),低電力損失  IGBT,dual-gate,High-conductivity IGBT (HiGT),Time And Space Control of stored carrier (TASC),low-loss
A concept on High-conductivity IGBT with Time And Space Control of stored carrier (TASC HiGT) for pursuit of low-loss is proposed. The function is divided into high-conductivity chip (Hc) and high-speed chip (Hs) control ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 221-227
本誌: 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) Vol.144 No.3 (2024) 特集T:スマートシステムと計測・制御技術 特集U:シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術
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20.脱炭素社会に貢献する第3世代RC-IGBT技術
3rd Gen. RC-IGBT Technology Contributing to a Decarbonized Society
論文No: ページ数: 6 日付: 2024/03/01
著者: 曽根田 真也(三菱電機(株) パワーデバイス製作所),小西 和也(三菱電機(株) 先端技術総合研究所),鈴木 健司(三菱電機(株) パワーデバイス製作所),阪口 浩介(三菱電機(株) パワーデバイス製作所),古川 彰彦(三菱電機(株) パワーデバイス製作所)
キーワード : シリコンRC-IGBT,ゲート容量,バッファ構造,RC-IGBT用ダイオード構造,高密度ダイオードレイアウト  silicon RC-IGBT,gate capacitance,buffer layer,diode structure for RC-IGBT,high-density diode arrangement
In this paper, a newly developed 3rd Gen. RC-IGBT is presented. To reduce the power loss and improve the heat dissipation of RC-IGBTs, we introduced four approaches, controlling Gate-capacitances, thin wafer technique, h ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 228-233
本誌: 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) Vol.144 No.3 (2024) 特集T:スマートシステムと計測・制御技術 特集U:シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術
会員価格(税込)¥550 一般価格(税込)¥770
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21.アンペア級中耐圧β型酸化ガリウムMOSSBD開発
Development of β-Ga2O3 MOSSBD Featuring Ampere-Class Forward Current and Medium Breakdown Voltage
論文No: ページ数: 6 日付: 2024/03/01
著者: 大塚 文雄((株)ノベルクリスタルテクノロジー),宮本 広信((株)ノベルクリスタルテクノロジー),九里 伸治((株)ノベルクリスタルテクノロジー),佐々木 公平((株)ノベルクリスタルテクノロジー),倉又 朗人((株)ノベルクリスタルテクノロジー)
キーワード : β型酸化ガリウム,ショットキーバリアダイオード,MOS,1.2 kV耐圧  β-Ga2O3,Schottky Barrier Diode,MOS,1.2 kV breakdown
We fabricated high forward and low leakage current trench MOS-type Schottky barrier diodes (MOSSBDs) on a 12-μm-thick epitaxial layer grown by halide vapor phase epitaxy on β-Ga2O3(001) substrate. The MOSSBDs, measuring ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 234-239
本誌: 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) Vol.144 No.3 (2024) 特集T:スマートシステムと計測・制御技術 特集U:シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術
会員価格(税込)¥550 一般価格(税込)¥770
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22.IGBTのターンオン電圧テールの解析
Analysis on Turn-on Voltage Tail
論文No: ページ数: 5 日付: 2024/03/01
著者: 伊倉 巧裕(富士電機(株)),中川 明夫(合同会社中川コンサルティング事務所)
キーワード : IGBT,ターンオン損失,電圧テール  IGBT,turn-on loss,voltage tail
In this work, we report a newly developed analysis method to investigate the mechanism of turn-on voltage tail of IGBT, aiming at the reduction of turn-on loss (Eon). This analysis method visualizes how gate-collector ca ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 240-244
本誌: 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) Vol.144 No.3 (2024) 特集T:スマートシステムと計測・制御技術 特集U:シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術
会員価格(税込)¥550 一般価格(税込)¥770
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23.両面ゲートIGBT(BC-IGBT)におけるスケーリングの影響
Impact of Scaling on Back-Gate-Controlled IGBT (BC-IGBT)
論文No: ページ数: 6 日付: 2024/03/01
著者: 更屋 拓哉(東京大学 生産技術研究所),伊藤 一夫(東京大学 生産技術研究所),高倉 俊彦(東京大学 生産技術研究所),鈴木 慎一(東京大学 生産技術研究所),福井 宗利(東京大学 生産技術研究所),竹内 潔(東京大学 生産技術研究所),平本 俊郎(東京大学 生産技術研究所)
キーワード : 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ,両面ゲート,両面リソグラフィ,スケーリング,IE効果  IGBT,double gate,double side lithography,scaling,injection enhancement
Back-gate-controlled IGBT (BC-IGBT) which uses a manufacturable double side lithography is experimentally demonstrated. The impact of IGBT scaling on BC-IGBT is evaluated in detail. A back gate control (BC-) mode in scal ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 245-250
本誌: 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) Vol.144 No.3 (2024) 特集T:スマートシステムと計測・制御技術 特集U:シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術
会員価格(税込)¥550 一般価格(税込)¥770
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24.硼素イオン注入終端構造を用いた縦型GaNパワー素子の高耐圧化
Boron-Implanted Termination Structures for Vertical GaN Power Devices with Highly Enhanced Breakdown Voltage
論文No: ページ数: 6 日付: 2024/03/01
著者: 三浦 喜直(産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター),平井 悠久(産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター),中島 昭(産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター),原田 信介(産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター)
キーワード : 窒化ガリウム,縦型パワーデバイス,終端構造,高耐圧化,電界緩和,硼素イオン注入  gallium nitride,vertical power device,edge termination,enhanced breakdown voltage,electric-field relaxation,boron-ion implantation
We propose a new edge termination technique for high-voltage vertical GaN power devices using boron-ion implantation into a p-GaN epitaxial layer. The boron-implanted layer after annealing at 800℃ results in a half-condu ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 251-256
本誌: 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) Vol.144 No.3 (2024) 特集T:スマートシステムと計測・制御技術 特集U:シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術
会員価格(税込)¥550 一般価格(税込)¥770
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25.マルチエピ法及びトレンチ埋め戻しエピ法で作製した1.2 kV耐圧SiC SJ-MOSFETの性能比較
Comparison of 1.2 kV SiC Superjunction MOSFETs Formed by Multi-epitaxial Growth and Trench-filling Epitaxial Growth
論文No: ページ数: 6 日付: 2024/03/01
著者: 染谷 満(国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター),大薗 国栄(国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター),紀 世陽(国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター),俵 武志(国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター),森本 忠雄(国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター),加藤 智久(国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター),児島 一聡(国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター),原田 信介(国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター)
キーワード : SiC,SJ-MOSFET,トレンチ埋め戻しエピ,静・動特性  SiC,SJ-MOSFET,trench-filling epitaxial growth,static and dynamic characteristics
We compared static and dynamic characteristics of a 1.2 kV-Class SJ-MOSFET fabricated by the multi-epitaxial growth (ME) method and the trench-filling epitaxial growth (TFE) method, which is expected to have a lower proc ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 257-262
本誌: 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) Vol.144 No.3 (2024) 特集T:スマートシステムと計測・制御技術 特集U:シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術
会員価格(税込)¥550 一般価格(税込)¥770
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26.大容量通信システムに向けた低抵抗・低逆回復電荷パワーMOSFETの開発
Development of Low On-Resistance and Low Reverse Recovery Charge Power MOSFET for Large-Capacity Communication Systems
論文No: ページ数: 4 日付: 2024/03/01
著者: 金子 敦司(東芝デバイス&ストレージ(株)),可知 剛(東芝デバイス&ストレージ(株)),加賀野井 啓介(東芝デバイス&ストレージ(株)),西脇 達也(東芝デバイス&ストレージ(株))
キーワード : パワーMOSFET,トレンチフィールドプレート構造,オン抵抗,ゲート容量,ボディーダイオード,逆回復電荷  power MOSFET,trench field plate structure,on-resistance,gate charge,body diode,reverse recovery charge
This paper proposes a low on-resistance and low reverse recovery charge Power MOSFET Technologies for large-capacity communication systems. We have developed 150 V class power metal-oxide-semiconductor field-effect trans ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 263-266
本誌: 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) Vol.144 No.3 (2024) 特集T:スマートシステムと計測・制御技術 特集U:シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術
会員価格(税込)¥550 一般価格(税込)¥770
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27.両耳マイクロホンを用いた指定領域内音源の抽出
Extraction of Sound Sources in Specified Area Using Binaural Microphones
論文No: ページ数: 9 日付: 2024/03/01
著者: 川村 新(京都産業大学情報理工学部),内田 絢音(京都産業大学情報理工学部)
キーワード : ブラインド音源分離,音源抽出,両耳マイクロホン,音源位置推定  blind source separation,sound source extraction,binaural microphones,sound source localization
We propose a sound source separation method to extract target sounds from multiple sounds observed at binaural microphones worn by a user. The proposed method estimates the respective sound source position from the slope ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 267-275
本誌: 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) Vol.144 No.3 (2024) 特集T:スマートシステムと計測・制御技術 特集U:シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術
会員価格(税込)¥550 一般価格(税込)¥770
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28.口内画像取得と画像認識を用いた服薬記録システム
Medication Recording System Using Oral Image Acquisition and Image Recognition
論文No: ページ数: 7 日付: 2024/03/01
著者: 匡 徳帥(東北大学大学院医工学研究科),鶴岡 典子(東北大学大学院工学研究科),芳賀 洋一(東北大学大学院医工学研究科/東北大学大学院工学研究科)
キーワード : 服薬記録,コップ型デバイス,口内画像,AI画像認識,服薬管理アプリ  medication recording,cup-shaped device,intraoral picture,AI image recognition,medication Andriod application
In the aging society, especially those with eye diseases, often forget to take medicine or take wrong medicine. In the new drug approval process, objective and accurate medication records have become very important. To i ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 276-282
本誌: 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) Vol.144 No.3 (2024) 特集T:スマートシステムと計測・制御技術 特集U:シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術
会員価格(税込)¥550 一般価格(税込)¥770
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29.ダイビングマスクに実装した加速度センサによる瞬目検出の検討
Feasibility Study of Blink Detection by Acceleration Sensor Mounted on a Diving Mask
論文No: ページ数: 2 日付: 2024/03/01
著者: 荒木 望(兵庫県立大学 工学研究科),傍島 浩史((株)キヌガワ),有馬 正和(大阪公立大学大学院工学研究科),才木 常正(兵庫県立大学 工学研究科/兵庫県立工業技術センター)
キーワード : ダイビング,加速度センサ,瞬目  diving,acceleration sensor,eye blink
We investigated the possibility of eye blink detection for one person using acceleration sensors fixed on a diving mask. It was found that the two accelerations measured on the upper and lower parts of the mask skirt wer ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 283-284
本誌: 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) Vol.144 No.3 (2024) 特集T:スマートシステムと計測・制御技術 特集U:シリコンならびにワイドバンドギャップパワー半導体の最新技術
会員価格(税込)¥330 一般価格(税込)¥550
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30.多次元データ再構成のための数理計画とその進展
Mathematical Programming for Multidimensional Data Reconstruction and Its Progress
論文No: ページ数: 4 日付: 2024/02/01
著者: 佐々木 亮平(東京工科大学コンピュータサイエンス学部)
キーワード : 行列補完,行列ランク最小化,多様体学習,次元削減,ニューラルネットワーク matrix completion,matrix rank minimization,manifold learning,dimensionality reduction,neural network
Research on reconstructing original data from data that can only be partially observed due to noise or missing data has been ongoing for many years. Such problems are generally referred to as matrix estimation problems. ... more
サイズ:A4 掲載ページ: 43-46
本誌: 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) Vol.144 No.2 (2024) 特集:ディジタル信号処理の基礎と応用
会員価格(税込)¥550 一般価格(税込)¥770
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