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| ■論文No. |
1324 |
| ■ページ数 |
18ページ |
■発行日
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2014/11/27 |
| ■タイトル |
リソグラフィ次世代技術の動向 |
| ■タイトル(英語) |
Research on Next Generation Lithography Technologies |
| ■著者名 |
リソグラフィ次世代技術調査専門委員会 |
| ■著者名(英語) |
Investigating R&D Committee on Next Generation Lithography Technologies |
| ■価格 |
会員 ¥2,244 一般 ¥2,805 |
| ■書籍種類 |
技術報告 |
| ■グループ名 |
【A】基礎・材料・共通部門 |
| ■本誌掲載ページ |
ページ |
| ■キーワード |
ArF液浸、EUV、マスク、ナノインプリント、DSA／Research on Next Generation Lithography Technologies |
| ■要約(日本語) |
半導体集積回路の微細化は情報化社会の飛躍的発展の基礎を支えて来た。その微細化の原動力はリソグラフィ技術の進歩である。半導体ロードマップ2012によれば、フラッシュメモリは2016年にはハーフピッチ14 nmが求められており、リソグラフィ技術の研究開発は一層重要性を増している。したがって、リソグラフィ次世代技術の動向を探り、技術課題を明確化して、今後の研究開発の指針を得るとともに、新たな応用形態を調査・検討するための調査専門委員会を設置し、以下の項目を調査・検討した。
(1) ArF液浸・EUVリソグラフィ技術
(2) マスク技術
(3) ナノインプリント技術
(4) DSA技術
(5) 国際会議報告 |
| ■要約(英語) |
LSI device scaling has supported the basis of rapid growth in information society. The driving force of the LSI scaling is the progress in lithography technologies. According to ITRS (International Technology
Roadmap of Semiconductor) 2012, flash memory device requires minimum half pitch 14 nm patterns in 2016.So research and development in the lithography technologies become more important. Therefore, research
committee on next generation lithography technologies has investigated following items in order to clarify the technological problems and to obtain a guideline by researching the next generation lithography technologies.
(1) ArF immersion and EUV lithography technologies,
(2) Mask technology
(3) Nanoimprint technology
(4) DSA technology
(5) International conference report |
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
406Kバイト |
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