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こちらはBookPark「電気学会 電子図書館(IEEJ Electronic Library)」による文献紹介ページです。 |
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■論文No. |
EDD22019 |
■ページ数 |
6ページ |
■発行日
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2022/03/06 |
■タイトル |
Ku帯マルチキャリア対応衛星通信地球局用内部整合型GaN HEMT増幅器 |
■タイトル(英語) |
Internally Matched GaN HEMT Power Amplifiers for Ku-Band Multi-Carrier Satellite Communications |
■著者名 |
杉谷 拓海(三菱電機),吉岡 貴章(三菱電機),山崎 貴嗣(三菱電機),野上 洋一(三菱電機) |
■著者名(英語) |
Takumi Sugitani(MITSUBISHI ELECTRIC),Takaaki Yoshioka(MITSUBISHI ELECTRIC),Takashi Yamasaki(MITSUBISHI ELECTRIC),Yoichi Nogami(MITSUBISHI ELECTRIC) |
■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会 |
■本誌 |
2022年3月9日電子デバイス研究会
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■本誌掲載ページ |
11-16ページ |
■原稿種別 |
日本語 |
■電子版へのリンク |
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■キーワード |
GaN|電力増幅器|Ku帯|相互変調歪み|衛星通信|マルチキャリア|Gallium Nitride|Power Amplifier|Ku-band|Intermodulation Distortion|Satellite Communication|Multi-Carrier |
■要約(日本語) |
本報告では、マルチキャリア衛星通信対応のKu帯70W GaN HEMTと30 W GaN HEMTについて述べる。増幅器の広離調化のため、整合回路には3つの差周波短絡回路を装荷し、その有効性を検証するため、出力電力の異なる2つの増幅器を設計および製造した。評価の結果、離調周波数が1MHZ〜400 MHzにおいて3次相互変調歪み(IMD3)-25 dBc以下という広い周波数範囲にわたり、低歪み特性を実現した。これらの結果は、衛星通信システムにおけるKu帯GaN 増幅器において世界最高レベルに位置づけられる。 |
■要約(英語) |
This report describes the 70- and 30-W-class Ku-band internally matched Gallium Nitride (GaN) power amplifiers (PAs) for multi-carrier satellite communications. To realize a wide offset frequency operation, our proposed matching circuit includes three different types of difference-frequency short circuits. To verify the short-circuit effectiveness, two different power classes, Ku-band GaN PAs were designed and fabricated. The measurements show that the two GaN PAs have a record output power level over a wide frequency range of 1 MHz to 400 MHz or higher under the condition of a low third-order intermodulation distortion (IMD3) of less than ?25 dBc, compared to previously reported Ku-band GaN PAs used for multi-carrier satellite communications. |
■版 型 |
A4 |
■PDFファイルサイズ |
1,137Kバイト |
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