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| ■論文No. |
EDD22020 |
| ■ページ数 |
5ページ |
■発行日
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2022/03/06 |
| ■タイトル |
NO窒化処理を施した非基底面SiC MOSデバイスの信頼性 |
| ■タイトル(英語) |
Reliability of NO-nitrided SiC MOS devices on non-basal planes |
| ■著者名 |
中沼 貴澄(大阪大学),小林 拓真(大阪大学),染谷 満(産業技術総合研究所),岡本 光央(産業技術総合研究所),吉越 章隆(日本原子力研究開発機構),細井 卓治(大阪大学),志村 考功(大阪大学),渡部 平司(大阪大学) |
| ■著者名(英語) |
Takato Nakanuma(Osaka University),Takuma Kobayashi(Osaka University),Mitsuru Sometani(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Mitsuo Okamoto(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Akitaka Yoshigoe(Japan Atomic Energy Agency),Takuji Hosoi(Osaka University),Takayoshi Shimura(Osaka University),Heiji Watanabe(Osaka University) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会 |
| ■本誌 |
2022年3月9日電子デバイス研究会
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| ■本誌掲載ページ |
17-21ページ |
| ■原稿種別 |
日本語 |
| ■電子版へのリンク |
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| ■キーワード |
炭化ケイ素|パワーデバイス|非基底面|ＮＯ窒化|ＭＯＳＦＥＴ|ＭＯＳ界面|Silicon Carbide|Power Device|Non-basal plane|NO nitridation|MOSFET|MOS interface |
| ■要約(日本語) |
NO窒化を施した非基底面SiC MOSデバイスは高い移動度を示す。しかし窒化がMOSデバイスの信頼性に与える影響は明らかでない。本研究ではX線光電子分光法および電気的評価により非基底面MOS構造を詳細に調査した。その結果、窒化は界面特性を改善するものの、SiO2/SiC構造の伝導帯オフセットを低下させ、リーク電流を増大させることが分かった。また、電子/正孔注入耐性も低下させ、デバイスの信頼性を劣化させることを明らかにした。 |
| ■要約(英語) |
Reliability of NO-nitrided SiC MOS devices on non-basal planes was investigated. We found that, while the nitridation improves the MOS interface properties, it reduces the conduction band offsets at the SiO2/SiC interface and thereby increases the oxide leakage. Moreover, the nitridation hampers the flat-band voltage stability against both electron and hole injection. Although nitrided MOS devices exhibit high mobilities, our results clearly indicate the drawback of nitridation in terms of reliability. |
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
1,369Kバイト |
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