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| ■論文No. |
EDD22022 |
| ■ページ数 |
6ページ |
■発行日
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2022/03/06 |
| ■タイトル |
多端子ホール素子によるオーミック金属下半導体の特性評価法とAlGaN/GaNヘテロ構造への適用 |
| ■タイトル(英語) |
Characterization method of semiconductors under Ohmic-metals by using multi-probe Hall devices and its application to AlGaN/GaN heterostructures |
| ■著者名 |
瓜生 和也(北陸先端科学技術大学院大学, アドバンテスト研究所),木内 翔太(北陸先端科学技術大学院大学),佐藤 拓(アドバンテスト研究所),鈴木 寿一(北陸先端科学技術大学院大学) |
| ■著者名(英語) |
Kazuya Uryu(Japan Advanced Institute of Science and Technology, Advantest Laboratories Ltd.),Shota Kiuchi(Japan Advanced Institute of Science and Technology),Taku Sato(Advantest Laboratories, Ltd.),Toshi-kazu Suzuki(Japan Advanced Institute of Science and Technology) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会 |
| ■本誌 |
2022年3月9日電子デバイス研究会
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| ■本誌掲載ページ |
29-34ページ |
| ■原稿種別 |
日本語 |
| ■電子版へのリンク |
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| ■キーワード |
ＡｌＧａＮ／ＧａＮ|多端子ホール測定|オーミックコンタクト|AlGaN/GaN|multi-probe Hall measurement|Ohmic contact |
| ■要約(日本語) |
半導体内部の電気特性は, オーミック金属形成により変化する. これまでに, オーミック金属下における半導体のシート抵抗測定方法は知られていたが, キャリア密度および移動度を評価する手法はなかった. 本研究では, 多端子ホール素子によりオーミック金属下半導体のシート抵抗に加え, キャリア密度と移動度を評価する手法を開発した. 本手法をAlGaN/GaNヘテロ構造へ適用し, オーミック金属の形成前後および除去後の特性を明らかにした. |
| ■要約(英語) |
Electrical properties of semiconductors are modified by formation of Ohmic-metals. The end contact resistance method and its equivalent method can measure only the sheet resistance, but cannot evaluate the carrier concentration and mobility. In this work, by using multi-probe Hall devices, we developed a method to characterize the carrier concentration and mobility under Ohmic-metals. Applying the method to AlGaN/GaN heterostructures, we elucidated the sheet resistance, the sheet electron concentration, and the electron mobility before and after Ohmic-metal formation, and also after Ohmic-metal removal. |
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
1,504Kバイト |
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