 |
| ・会員価格 ¥220 |
| ・一般価格 ¥330 |
|
|
| こちらはBookPark「電気学会 電子図書館（IEEJ Electronic Library）」による文献紹介ページです。 |
|
 |
 |
電気学会会員の方はこちらから一旦ログインのうえ、マイページからお入りください。
会員価格で購入することができます。
|
|
| 非会員の方はログインの必要はありません。このまま お進みください。 |
|
|
| ■論文No. |
EDD22024 |
| ■ページ数 |
5ページ |
■発行日
|
2022/03/06 |
| ■タイトル |
GaN HEMTを用いたGated-Anodeダイオードのマイクロ波整流特性 |
| ■タイトル(英語) |
Microwave Rectifier Characteristics of Gated-Anode GaN HEMT based Diode |
| ■著者名 |
分島 彰男(名古屋工業大学),土屋 洋一(名古屋工業大学),安藤 裕二(名古屋大学),高橋 英匡(名古屋大学),新田 州吾(名古屋大学),柳生 栄治(三菱電機),林 宏暁(三菱電機),伊東 健治(金沢工業大学),坂井 尚貴(金沢工業大学) |
| ■著者名(英語) |
Akio Wakejima(Nagoya Institute of Technology),Yoichi Tsuchiya(Nagoya Institute of Technology),Yuji Ando(Nagoya Univ.),Hidemasa Takahashi(Nagoya Univ.),Shugo Nitta(Nagoya Univ.),Eiji Yagyu(Mitsubishi Electric Corporation),Hiroaki Hayashi(Mitsubishi Electric Corporation),Kenji Itoh(Kanazawa Institute of Technology),Naoki Sakai(Kanazawa Institute of Technology) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会 |
| ■本誌 |
2022年3月9日電子デバイス研究会
|
| ■本誌掲載ページ |
41-45ページ |
| ■原稿種別 |
日本語 |
| ■電子版へのリンク |
|
| ■キーワード |
ＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴ|ゲーティッドアノード・ダイオード|マイクロ波整流器|AlGaN/GaN HEMT|Gated-anode diode|Microwave rectifier |
| ■要約(日本語) |
ノーマリ―オフ特性を有するAlGaN/GaN HEMTならびに、そのHEMTのゲートとドレインをショートさ せた Gated-Anode ダイオードをマイクロ波無線電力伝送用に開発した。
本講演では、その構造、ダイオードのDC特性、高周波、マイクロ波整流特性を紹介する。 |
| ■要約(英語) |
We have developed a gated-anode diode using a normally-off AlGaN/GaN HEMT. In this presentation, a structure, DC, and RF characteristics of the diode and its microwave performance will be introduced.
|
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
1,123Kバイト |
|
|
|
