| ■論文No. |
EDD22025 |
| ■ページ数 |
4ページ |
■発行日
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2022/03/06 |
| ■タイトル |
GaNとSiCを一体化したハイブリッド型HEMTの研究開発 |
| ■タイトル(英語) |
Development of hybrid HEMT with monolithically integrated GaN and SiC |
| ■著者名 |
中島 昭(産業技術総合研究所),平井 悠久(産業技術総合研究所),三浦 喜直(産業技術総合研究所),原田 信介(産業技術総合研究所) |
| ■著者名(英語) |
Akira Nakajima(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Hirohisa Hirai(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Yoshinao Miura(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Shinsuke Harada(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会 |
| ■本誌 |
2022年3月9日電子デバイス研究会
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| ■本誌掲載ページ |
47-50ページ |
| ■原稿種別 |
日本語 |
| ■電子版へのリンク |
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| ■キーワード |
窒化ガリウム|炭化ケイ素|モノリシック集積|高電子移動度トランジスタ|ボディダイオード|ハイブリッド型ＨＥＭＴ|GaN|SiC|Monolithic integration|HEMT|Body diode|hyHEMT |
| ■要約(日本語) |
我々は、SiC-PiNダイオード上にGaN-HEMTを集積化したハイブリッド型トランジスタ(hyHEMT)を提案し、その研究開発を進めている。そのコンセプト実証のため、4インチSiC基板上へhyHEMTの試作を行った。試作したデバイスは、オン抵抗が47Ωmmであり、かつ1.2kVの非破壊降伏を示した。GaNの高い通電能力と、SiCの堅牢なアバランシェ降伏が得られることが分かった。 |
| ■要約(英語) |
We have proposed hybrid HEMT (hyHEMT) concept of monolithic integration of a GaN-HEMT on SiC PiN diode. To prove this concept, we developed hyHEMTs on 4-inch SiC substrates. Measured on-resistance was 47 ohm-mm and non-destructive breakdown voltage was over 1.2kV. The hyHEMTs have high conductivity in GaN and also robust avalanche breakdown in SiC. |
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
1,021Kバイト |
