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近年、トランスは様々な分野で広く利用されている。実負荷状態下のトランスの損失を高精度に測定する方法として、二台の小容量電源を用いる負荷試験法が著者らの先行研究で提案されている。しかし，試験トランスが二台必要な場合や高周波 ... more サイズ:A4 掲載ページ: 1-6 本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 2.部分放電試験によるSST用高周波モールドトランスの基礎評価 Fundamental Evaluation of High-frequency Molded Transformers for SST by Partial Discharge Test 論文No: EDD23027,SPC23210 ページ数: 6 日付: 2023/10/23 著者: 米富 律騎(長岡技術科学大学),日下 佳祐(長岡技術科学大学),小池 直希(ポニー電機株式会社),長井 慎一郎(ポニー電機株式会社) キーワード : Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ　Ｔｒａｎｓｆｏｒｍｅｒ|高周波トランス|モールドトランス|部分放電|絶縁|Solid-State Transformer|high frequency transformer|molded transformer|partial discharge|insulation ISOP接続校正のSSTに用いられるDC/DCコンバータに向けて高周波モールドトランスを開発し，部分放電試験を実施した。一次側‐二次側間に最大で系統電圧が印加されることから高い絶縁性能が必要となる。そこで本研究では，モー ... more サイズ:A4 掲載ページ: 7-12 本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 3.ISOP型Solid-State Transformerにおけるコモンモードノイズ等価回路のモデリング Modeling of Common-Mode Equivalent circuit for Solid-State Transformer based on ISOP configuration 論文No: EDD23028,SPC23211 ページ数: 6 日付: 2023/10/23 著者: 菊地 尚斗(長岡技術科学大学),渡辺 大貴(長岡技術科学大学),伊東 淳一(長岡技術科学大学) キーワード : Ｓｏｌｉｄ−ｓｔａｔｅ　Ｔｒａｎｓｆｏｒｍｅｒ|ＩＳＯＰ接続|コモンモードノイズ|ＥＭＩ|コモンモード等価回路|Solid-state Transformer|ISOP connection|common-mode noise|EMI|common-mode equivalent circuit Solid State Transformer(SST)はマルチセル構成を有するため，スイッチングデバイスやヒートシンクの増加等により寄生成分が増加する。これによりコモンモードノイズの経路が複雑化し，EMIフィルタの設計 ... more サイズ:A4 掲載ページ: 13-18 本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 4.ゲート磁気結合方式を用いた駆動回路におけるゲート電圧振動抑制方法 Gate voltage oscillation suppression methods for gate drive circuits with gate-balancing core 論文No: EDD23029,SPC23212 ページ数: 6 日付: 2023/10/23 著者: 神田 大毅(東京工業大学),石井 一輝(東京工業大学),浦壁 隆浩(東京工業大学),萩原 誠(東京工業大学),糸川 祐樹(三菱電機),檜垣 優介(三菱電機) キーワード : ゲート磁気結合方式|素子直列接続|ゲート電圧振動|gate-magnetic-coupling method|series connection of power elements|gate voltage oscillation 直列接続されたスイッチング素子では、ゲート信号の伝送タイミングやゲート電圧の差異によって素子間の電圧分担のアンバランスが発生する。この問題を解決する手法として，ゲート信号の伝送ずれを抑制できる磁気結合方式が提案されている ... more サイズ:A4 掲載ページ: 19-24 本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 5.新規HVMOS構造によるBootstrap diode(BSD)機能内蔵600V HVIC A 600V HVIC with integrated bootstrap diode function by a new emulating HVMOS 論文No: EDD23030,SPC23213 ページ数: 6 日付: 2023/10/23 著者: 川崎 裕二(三菱電機),今坂 俊博(三菱電機),渋田 侑人(メルコセミコンダクタエンジニアリング),佐野 昇平(メルコセミコンダクタエンジニアリング),羽生 洋(三菱電機),橋本 修男(メルコセミコンダクタエンジニアリング),羽野 光隆(三菱電機),吉野 学(三菱電機) キーワード : ＨＶＩＣ|ＨＶＭＯＳ|ブートストラップダイオード|ドライバーＩＣ|High Voltage IC|High Voltage MOS|Bootstrap Diode (BSD)|Driver IC 600V HVICにBSD機能を内蔵するための新規HVMOS構造と，そのゲート制御回路を提案する。新規HVMOS構造は縦方向の寄生PNP動作が回避でき、また主耐圧の低下なしにドレインドリフト抵抗の低減が可能である。新規ゲ ... more サイズ:A4 掲載ページ: 25-30 本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 6.SJMOSとFPMOSにおける耐圧の温度依存性差の解析 Analysis on the difference of the temeperature dependece of breakdown voltage between SJMOS and FPMOS 論文No: EDD23031,SPC23214 ページ数: 3 日付: 2023/10/23 著者: 酒井 敦(ルネサスエレクトロニクス),永久 克己(ルネサスエレクトロニクス),安孫子 雄哉(ルネサスエレクトロニクス),佃 栄次(ルネサスエレクトロニクス),緒方 完(ルネサスエレクトロニクス) キーワード : 耐圧|温度依存性|空乏層|電界分布|Superjunction MOS|Field Plate MOS|breakdown voltage|temperature dependence|depletion layer|electric field distribution 100V級SJ(Superjunction)MOSとFP(Field Plate)MOSの耐圧を比較した際に，その温度依存性が異なるというSim.結果が得られた．この差の要因は空乏層内の電界分布が異なることにある．す ... more サイズ:A4 掲載ページ: 31-33 本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 7.金属 抵抗率の温度特性の再検討 - 平均自由行程と残留抵抗の新しい解釈 - Reexamination of Temperature Characteristics of Metal Resistivity - New Interpretation of Mean Free Path and Residual Resistance - 論文No: EDD23032,SPC23215 ページ数: 12 日付: 2023/10/23 著者: 高田 育紀(なし) キーワード : 抵抗率|平均自由行程|平均衝突時間|残留抵抗|超電導|遷移元素|resistivity|mean free path|relaxation time|residual resistance|superconductivity|transition elements 半導体の伝導特性は金属の``自由電子モデル''を基に説明されている。この1900年台の前半に提示された``自由電子モデル''は、オームの法則や熱伝導率と電気伝導率と間の比例関係を説明できたが、運動量緩和時間とか、それと実 ... more サイズ:A4 掲載ページ: 35-46 本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 8.オーバードライブSiC MOSFETのスイッチング特性評価 Evaluation of Switching Characteristics of SiC MOSFETs under Over drive Conditions 論文No: EDD23033,SPC23216 ページ数: 6 日付: 2023/10/23 著者: 寒河江 貴英(東京都立大学),林 真一郎(千葉工業大学),和田 圭二(東京都立大学) キーワード : ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴ|ゲート電圧|スイッチング損失|SiC MOSFET|Gate voltage|Switching loss 本稿では、ゲート電圧を定格電圧以上に設定する手法(オーバードライブ)を検討する。まず，理論式からゲート電圧とMOSFETのスイッチング損失およびスイッチング時間の相関を導出する。次に，1,200 V耐圧のSiC MOSF ... more サイズ:A4 掲載ページ: 47-52 本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 9.トリガーp-nダイオードの導入によるSBD内蔵SiC MOSFETのサージ耐量向上の検討 Experimental study on improvement of surge current capability of SBD-embedded SiC MOSFET by introducing trigger p-n diode 論文No: EDD23034,SPC23217 ページ数: 6 日付: 2023/10/23 著者: 大橋 輝之(東芝),河野 洋志(東芝デバイス＆ストレージ),朝羽 俊介(東芝デバイス＆ストレージ),尾形 昂洋(東芝),飯島 良介(東芝) キーワード : ＳＢＤ内蔵ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴ|サージ耐量|SBD-embedded SiC MOSFET|Surge current SBD内蔵SiC MOSFETにおいて、サージ電流耐量を向上する新規デバイス構造を検討した。デバイス内部に伝導度変調を誘起するトリガーp-nダイオードを設けることで、サージ電流印加時に低抵抗で大電流を流すことが可能となり ... more サイズ:A4 掲載ページ: 53-58 本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 10.Ｓｉ−ＳＪＢＪＴ／ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴダーリントンスイッチ Si-SJBJT/SiC-MOSFET Darlington switch 論文No: EDD23035,SPC23218 ページ数: 6 日付: 2023/10/23 著者: 涌井 翔真(山梨大学),矢野 浩司(山梨大学) キーワード : スーパージャンクション|ダーリントン|バイポーラトランジスタ|ＭＯＳＦＥＴ|炭化ケイ素|シリコン|Superjunction|Darlington|Bipolar transistor|MOSFET|SiC|Si メインスイッチであるSi-スーパージャンクションバイポーラトランジスタ（SJBJT)と駆動用SiC-MOSFETの600V級ダーリントンスイッチを提案した。同スイッチはSJBJTとSi-MOSFETの組み合わせに比べ、オ ... more サイズ:A4 掲載ページ: 59-64 本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 11.SiCフィン型トレンチMOSFETの提案 Proposal of Vertical-channel Fin-SiC MOSFET 論文No: EDD23036,SPC23219 ページ数: 6 日付: 2023/10/23 著者: 清水 悠佳(日立製作所),須藤 建瑠(日立製作所),毛利 友紀(日立製作所),久本 大(日立製作所),島 明生(日立製作所),木下 昂洋(日立パワーデバイス),村田 龍紀(日立パワーデバイス),織田 哲男(日立パワーデバイス) キーワード : ＳｉＣ|ＭＯＳＦＥＴ|フィン|トレンチ|オン抵抗|スケーリング 低いオン抵抗と低い酸化膜電界を両立できる構造として、フィン型のSiCトレンチMOSFETを試作、検証した。我々がこれまで提案してきたTED-MOSに比べオン抵抗を大幅に低減できるだけでなく、スイッチング損失も低減できるこ ... more サイズ:A4 掲載ページ: 65-70 本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 12.温度特性を考慮したGaNデバイスモデルの研究 Study on Modeling of GaN Devices with Temperature Dependency 論文No: EDD23037,SPC23220 ページ数: 6 日付: 2023/10/23 著者: 井口 創介(東京工業大学),原田 茂樹(東京工業大学),浦壁 隆浩(東京工業大学),中嶋 純一(三菱電機),堀口 剛司(三菱電機),椋木 康滋(三菱電機) キーワード : デバイスモデル|ＧａＮ−ＨＥＭＴ|ビヘイビアモデル|device modeling|GaN-HEMT|behavioral model 低炭素社会に向けパワーエレクトロニクス製品へのGaNやSiCの適用が加速している。電力変換装置を設計する際、実試作の前段階においてデバイスモデルを使用することが一般的になっており、重要度が増してきている。本論文では,東工 ... more サイズ:A4 掲載ページ: 71-76 本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 13.SiC MOSFETのソフトターンオフ短絡保護方法の提案 Soft turn-off short-circuit protection method for SiC MOSFETs 論文No: EDD23039,SPC23222 ページ数: 4 日付: 2023/10/23 著者: 杜 赫(九州工業大学),Bayarsaikhan Yandagkhuu(九州工業大学),大村 一郎(九州工業大学) キーワード : ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴ|短絡保護|ソフトターンオフ|ロゴスキーコイル|SiC MOSFET|Short circuit|Soft turn-off|Rogowski coil ソフトターンオフによる短絡保護を実現するアクティブゲートクランプ回路を提案する。クランプコンデンサを用いたゲート電荷放電回路により、ドレイン電圧のオーバーシュートの低減、ピーク電流の低減、短絡時の過度なエネルギーの防止な ... more サイズ:A4 掲載ページ: 77-80 本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 14.トレンチIGBTのダイナミックアバランシェ抑制設計 Dynamic avalanche suppression design of trench IGBT 論文No: EDD23040,SPC23223 ページ数: 6 日付: 2023/10/23 著者: 郭 祺(九州大学),西澤 伸一(九州大学),齋藤 渉(九州大学) キーワード : ＩＧＢＴ|ダイナミックアバランシェ|ターンオフ|IGBT|dynamic avalanche|turn-off ダイナミックアバランシェ（DA）に対するIGBTの構造パラメータの影響を調べた結果について報告する。Carrier Stored層（CS層）を有する1200V系IGBTについてシミュレーションを用いて検討した。構造パラメ ... more サイズ:A4 掲載ページ: 81-86 本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 15.IGBTのN-base電位を考慮した追加パルスによるインバータのサージ電圧解析 An analysis of the surge voltage in an inverter with the effect of N-base voltage in an IGBT and an additional pulse 論文No: EDD23041,SPC23224 ページ数: 6 日付: 2023/10/23 著者: 境 真一(九州工業大学),長谷川 一徳(九州工業大学) キーワード : ＩＧＢＴ|Ｎ−ｂａｓｅ電位|ノイズ試験|インバータ|逆回復電流|サージ電圧|IGBT|N-base voltage|noise test|inverter|reverse recovery|surge voltage スイッチング素子のノイズ評価には従来,ダブルパルス試験が用いられていたが, インバータ内IGBTの評価をする場合はN-base電圧と端子間電圧が一致しないため,十分なノイズ評価ができない。インバータの動作に対応するために ... more サイズ:A4 掲載ページ: 87-92 本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 16.3300V スケーリング IGBT におけるダイナミックアバランシェの抑制によるターンオフ dV/dt 制御性の向上 Improvement of Turn-off dV/dt Controllability by Suppressing Dynamic Avalanche in 3300V Scaled IGBTs 論文No: EDD23042,SPC23225 ページ数: 6 日付: 2023/10/23 著者: 周 翔(東京大学),福井 宗利(東京大学),竹内 潔(東京大学),更屋 拓哉(東京大学),平本 俊郎(東京大学) キーワード : ＩＧＢＴ|スケーリング|ＴＣＡＤ　シミュレーション|ダイナミックアバランシェ|スイッチング制御性|IGBT|scaling|TCAD simulation|dynamic avalanche|switching controllability 3300V系スケーリングIGBTにおける動的性能のスケーリング係数(k)依存性をシミュレーションにより調べた．新評価法を提案し，スケーリングIGBTのターンオフ dV/dt 制御性はダイナミック アバランシェ (DA) ... more サイズ:A4 掲載ページ: 93-98 本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 17.デジタルゲートドライバを用いたIGBTスイッチング動作におけるゲート電圧振動発生メカニズムの検討 The investigation on the mechanism of gate voltage oscillation by a digital gate control at IGBT switching operations 論文No: EDD23043,SPC23226 ページ数: 6 日付: 2023/10/23 著者: LOU ZAIQI(九州大学),Mamee Thatree(九州大学),畑 勝裕(東京大学),高宮 真(東京大学),西澤 伸一(九州大学),齋藤 渉(九州大学) キーワード : ＩＧＢＴモジュール|デジタルドライバ|ゲート振動|デバイス寄生容量|IGBT module|digital gate driver|gate oscillation|device capacitance デジタルゲートドライバを用いたダブルパルス試験を3種類のIGBTモジュールに対して行った。IGBT内の寄生キャパシタンスがゲート電圧の振動に与える影響を示すと共に、LTspiceを用いて回路シミュレーションを用いて、ゲー ... more サイズ:A4 掲載ページ: 99-104 本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 18.パワーエレクトロニクス応用動向から見たパワーデバイスの将来展望 A Future Outlook of Power Devices from Viewpoint of Power Electronics Application Trends 論文No: EDD23044,SPC23227 ページ数: 6 日付: 2023/10/23 著者: 齋藤 渉(九州大学) キーワード : パワーデバイス|パワーエレクトロニクス|パワーモジュール|power devices|power electronics|power modules パワーエレクトロニクス応用の動向からパワーデバイスの将来展望を考察する。パワーデバイスの牽引役は、家電、産業、電気自動車と変わりながら、低損失化と高温動作、低熱抵抗化によりパワーモジュールの高パワー密度化が進められてきた ... more サイズ:A4 掲載ページ: 105-110 本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 19.離間ボトムP層CSTBTTMによるターンオフ損失の低減 Separate Bottom P layer CSTBTTM for Approaching Turn-off Switching Loss Reduction Limit 論文No: EDD23045,SPC23228 ページ数: 4 日付: 2023/10/23 著者: 小西 和也(三菱電機),新田 哲也(三菱電機),玉城 朋宏(三菱電機),曽根田 真也(三菱電機) キーワード : ダイナミックアバランシェ|ターンオフ損失|IGBT|CSTBT|Dynamic avalanche|Turn-off switching loss ダイナミックアバランシェとターンオフ損失(Eoff)はトレードオフの関係にある。本研究では離間ボトムP層CSTBTTM構造を提案し、TCADシミュレーションによりEoff低減効果を検証した。新規構造によりトレンチ底部の電 ... more サイズ:A4 掲載ページ: 1-4 本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 20.埋め込み電極構造によるターンオン損失の低減 Turn-on Loss Reduction by Buried-Electrode Structure 論文No: EDD23046,SPC23229 ページ数: 6 日付: 2023/10/23 著者: 伊倉 巧裕(富士電機),中川 明夫(中川コンサルティング事務所) キーワード : �TＧＢＴ|ターンオン損失|スプリットゲート|埋め込み電極|IGBT|turn-on loss|split gate|buried eletrode これまでにEonを低減できる構造としてトレンチ内のダミー電極を上下に分割したスプリットゲート構造が提案されている。本研究では、上下に分かれている電極の上電極が無い埋め込み電極構造について解析した。ＴＣＡＤシミュレーシ ... more サイズ:A4 掲載ページ: 5-10 本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 21.低温プロセスによる15V駆動 浅トレンチIGBT(ST-IGBT)の提案 A 15V operated Shallow Trench IGBT(ST-IGBT) fabricated by low temperature process and optimized for 12inch wafers 論文No: EDD23047,SPC23230 ページ数: 6 日付: 2023/10/23 著者: 田中 雅浩(日本シノプシス),阿部 直樹(日本シノプシス),中川 明夫(中川コンサルティング事務所) キーワード : ＩＧＢＴ|低温プロセス|ＲＴＡ|浅いトレンチ|キャリアライフタイム|IGBT|Low temperature process|RTA|Shallow trench|Carrier lifetime 浅いトレンチゲートを有するIGBT構造を考案した。本IGBTは従来IGBTと同様の15V駆動が可能である。セル構造は、浅いトレンチゲートおよび浅い拡散層から構成されている。セル構造の最適化により、従来IGBTよりオン電圧 ... more サイズ:A4 掲載ページ: 11-16 本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 22.第3世代650V RC-IGBTの局所ライフタイム制御と高密度配置ダイオードによるジャンクション温度の低減 Reduction of Junction Temperature with Local Lifetime Control and High Density Arranged Diode for 3rd Gen. 650V RC-IGBT 論文No: EDD23048,SPC23231 ページ数: 5 日付: 2023/10/23 著者: 阪口 浩介(三菱電機),小西 和也(三菱電機),江口 佳佑(三菱電機),曽根田 真也(三菱電機) キーワード : 局所ライフタイム制御|プロトン|ダイオードレイアウト|ジャンクション温度|電力損失|Local Lifetime Control|proton|diode layout|junction temperature|power loss|RC-IGBT RC-IGBTの電力損失とジャンクション温度(Tj)を低減するためには、ドリフト層のキャリア分布とダイオードのレイアウトの両方を最適化する必要がある。本研究では、CSTBTTMをベースとし、プロトン注入による局所ライフタ ... more サイズ:A4 掲載ページ: 17-21 本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 23.超低損失RC-IGBTのためのダイオード構造 Novel Diode Structure for Ultra-Low-Loss RC-IGBTs 論文No: EDD23049,SPC23232 ページ数: 5 日付: 2023/10/23 著者: 山下 侑佑((株)豊田中央研究所),町田 悟((株)豊田中央研究所),斎藤 順((株)ミライズテクノロジーズ),妹尾 賢((株)デンソー) キーワード : ＲＣ−ＩＧＢＴ|逆回復|オン抵抗|ライフタイム|正孔注入|RC-IGBT|Reverse Recovery|On-resistance|Lifetime|Hole Injection RC-IGBTはDiodeとIGBTを一体化し、小型高密度なパワー半導体として有用である。しかしDiodeの損失低減のために、ライフタイム制御を行うと、IGBTのライフタイムも変化してしまいIGBT損失が増加する。本研究 ... more サイズ:A4 掲載ページ: 23-27 本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 24.ＩＧＢＴの電流フィラメント現象のＴＣＡＤモデリング上の問題点に関する報告 Report on Problems of TCAD Modeling for Current Filament Phenomena in IGBTs 論文No: EDD23050,SPC23233 ページ数: 6 日付: 2023/10/23 著者: 諏訪 剛史(東芝デバイス＆ストレージ),末代 知子(東芝デバイス＆ストレージ) キーワード : ＩＧＢＴ|信頼性|ＴＣＡＤシミュレーション|電流フィラメント|現象のモデリング|自己発熱|IGBT|reliability|TCAD simulation|current filament|modeling of phenomena|self-heating IGBTの信頼性設計では、ダイナミックアバランシェ時の電流フィラメントの制御が肝要であり、TCADシミュレーションが様々な場面で活用されている。今回、電流フィラメントが複数動き回る条件で、TCADモデルの２次元性に起因し ... more サイズ:A4 掲載ページ: 29-34 本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 25.低スイッチング損失を実現するトリプルゲートIGBT Ultra-Low Switching Loss Triple-Gate controlled IGBT 論文No: EDD23051,SPC23234 ページ数: 6 日付: 2023/10/23 著者: 坂野 竜則(東芝),足立 建人(東芝),井口 智明(東芝),高尾 和人(東芝),岩鍜治 陽子(東芝デバイス＆ストレージ),下條 亮平(東芝デバイス＆ストレージ),末代 知子(東芝デバイス＆ストレージ) キーワード : ＩＧＢＴ|トリプルゲート|ダブルゲート|ゲート制御|スイッチング損失|コントロールゲート|IGBT|triple-gate|double-gate|gate control|switching loss|control gate ターンオン損失(Eon)とターンオフ損失(Eoff)の両方を大幅に低減する1.2kV耐圧トリプルゲートIGBT(TG-IGBT)を提案する。TG-IGBT素子を試作し、従来のシングルゲート IGBT と比較して、Eon ... more サイズ:A4 掲載ページ: 35-40 本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 26.シングルバックゲートとダブルフロントゲートを備えたマルチゲートIGBT Single-back and double-front multi gate-controlled IGBT 論文No: EDD23052,SPC23235 ページ数: 6 日付: 2023/10/23 著者: 小林 勇介(東芝),坂野 竜則(東芝),加藤 貴大(東芝),山本 崇人(東芝),井口 智明(東芝),高尾 和人(東芝),末代 知子(東芝デバイス＆ストレージ),下條 亮平(東芝デバイス＆ストレージ),福井 宗利(東京大学),更屋 拓哉(東京大学),伊藤 一夫(東京大学),高倉 俊彦(東京大学),鈴木 慎一(東京大学),平本 俊郎(東京大学) キーワード : ＩＧＢＴ|マルチゲート|裏面ゲート|ターンオフ|ダブルゲート|トリプルゲート|IGBT|Multi-gate|Back-gate|Turn off |Double-gate|Triple-gate IGBTの裏面または表面に制御ゲートを追加することで、ターンオフ損失を大幅に低減できることが、複数の機関から報告されている。本研究では、IGBTの裏面と表面の両方に制御ゲートを備えた新型IGBTを提案し、ターンオフ損失の ... more サイズ:A4 掲載ページ: 41-46 本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 27.並列IGBTデバイスの電流均一化のためのゲート遅延制御とミラープラトー効果 Gate Delay Control for Current Equalization of Parallel IGBT Devices and Miller Plateau Effect 論文No: EDD23053,SPC23236 ページ数: 6 日付: 2023/10/23 著者: とりぱし らびなす(九州工業大学),大村 一郎(九州工業大学) キーワード : パワー半導体デバイス|ＩＧＢＴ|並列|ゲート制御|Power semiconductor device|IGBT|Paralleling|Gate control パワー半導体デバイスは、大電流を実現するために並列接続される。しかし、並列接続された半導体デバイスでは、電流のアンバランスが深刻な問題となる。並列接続された3つのデバイスの電流共有と均等化を改善するために、ゲート遅延制御 ... more サイズ:A4 掲載ページ: 47-52 本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 28.パワーデバイスの温度係数を利用したマルチチップモジュールのジャンクション温度推定誤差に関する一検討 A Study on Junction Temperature Estimation Error Using Temperature Sensitive Parameters of Power Devices for Parallel-connected Multi-chip Power Modules 論文No: EDD23054,SPC23237 ページ数: 6 日付: 2023/10/23 著者: 福永 崇平(大阪大学),舟木 剛(大阪大学) キーワード : ＳｉＣパワーデバイス|熱設計|並列接続|過渡熱抵抗測定|温度係数|SiC power device|Thermal design|Parallel connection|Transient thermal resistance|Temperature sensitive parameter 大電力用途のパワーモジュールは, パワーデバイスを複数並列接続して実装している。JESD51-1が定めるパワーデバイスのI-V特性の温度依存性を用いたジャンクション温度推定法を, 並列接続したパワーデバイスに適用すると, ... more サイズ:A4 掲載ページ: 53-58 本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 29.過渡的なゲート閾値計測によるジャンクション温度モニタリング方法 Dynamic threshold voltage-based junction temperature measurement method using PCB current sensor 論文No: EDD23055,SPC23238 ページ数: 5 日付: 2023/10/23 著者: Bayarsaikhan Yandagkhuu(九州工業大学),一郎 大村(九州工業大学) キーワード : 温度測定|スレッショルド電圧|ＴＳＥＰ|ロゴスキーコイル|ＰＣＢセンサ|電流測定|Temperature measurement|Threshold voltage|TSEP|Rogowski coil|PCB sensor|Current measurement パワーMOSFETの接合温度モニタリングは素子の劣化をモニタリングする際に重要なパラメータである。本稿では、PCB電流センサを用いた回路によりターンオン時のある電流閾値でトリガをかけ、ゲート波形から閾値を抽出し、接合温度 ... more サイズ:A4 掲載ページ: 59-63 本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 30.パワーデバイスの短絡破壊メカニズムに関する考察 Consideration on IGBT short-circuit withstand capability. 論文No: EDD23056,SPC23239 ページ数: 5 日付: 2023/10/23 著者: 佐藤 伸二(産業技術総合研究所),山口 大輝(産業技術総合研究所),佐藤 弘(産業技術総合研究所),田尾 仁志(小松製作所),黒柳 貴夫(小松製作所) キーワード : パワーデバイス|ＭＯＳＦＥＴ|ＩＧＢＴ|接合温度|破壊メカニズム|短絡電流|Power device|MOSFET|IGBT|junction temperature|Destruction mechanism |Short-circuit current パワーデバイスが破損する条件としては，過電圧や過電流，過熱などがあり，それぞれ破損に至るメカニズムがある。それらのメカニズムを明らかにし，それをうまく回避できれば，デバイス破損による事故を回避できる可能性が高くなる。本報 ... more サイズ:A4 掲載ページ: 65-69 本誌: 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2 会員価格(税込)¥220 一般価格(税込)¥330 対象：PDF 表示件数： 10 30 50 形式： 詳細 簡潔 発行日(昇順) 発行日(降順) タイトル(昇順) タイトル(降順) HOMEに戻る Reference : 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会、発行日（降順） 検索結果 全373 件 Page: [1][2][3][4][5]･･･[13]

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